Предложен вариант развития существующего метода оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию заряженных частиц космического пространства по одиночным эффектам, позволяющий учитывать функциональную сложность аппаратуры и эффективность применения современных средств парирования отказов и сбоев. Приведены результаты сравнения показателей стойкости полезной нагрузки космического аппарата, полученные на базе существующего и модифицированного методов.

Представлен принцип выбора оптимальных критериев отказа для интегральных микросхем Flash-памяти и ПЛИС с конфигурационной памятью на основе Flash запоминающих устройств при испытаниях на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц.

Исследована деградация p-канальных МОП-транзисторов при воздействии термоэлектрических нагрузок и ионизирующего излучения. Показано, что для МОП-транзисторов, которые не чувствительны к эффектам температурной нестабильности при подаче смещения, предварительное облучение дозой 50 крад не влияет на их отклик и на последующие термоэлектрические нагрузки, в то время как предварительные термоэлектрические нагрузки усиливают скорость деградации транзисторов при последующем облучении.

Представлены результаты исследования влияния импульсного гамма-излучения, статического гамма-излучения и гамма-нейтронного излучения на различные типы вакуумных коммутирующих устройств (ВКУ). Также приведены результаты оценки степени влияния измерительной оснастки при испытаниях ВКУ на воздействие импульсного ионизирующего излучения.

Проведен обзор основных результатов в области радиационно-индуцированной проводимости и электризации полимеров, полученных в течение последних 30 лет. Особое внимание уделено уникальной экспериментальной методике, основанной на использовании портативного электронного ускорителя, и позволяющей проводить как радиационно-индуцированную проводимость, так и подвижность носителей заряда. Также обсуждаются квазизонная и прыжковая теории транспорта носителей заряда в молекулярно-допированных полимерах.

Исследованы изменения структуры поверхностей защитных стекол К-208 и CMG, используемых в качестве защитных покрытий солнечных батарей космических аппаратов, при одновременном воздействии на их образцы электронов и протонов с энергиями E_e = 40 кэВ и E_р = 20 кэВ соответственно. Изучение поверхностей образцов методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) позволило выявить появление на них микроскопических структур, не обусловленных электростатическими разрядами. Облучение образцов проводилось в вакуумной камере при давлении p_v = 10^-4 Па и плотностях потоков электронов φ_e и протонов φ_р от 10¹⁰ до 2,0∙10¹¹ см^-2с^-1. Показано, что при указанных условиях облучения характер структурных изменений поверхностей зависит от соотношения параметров φ_e и φ_р. Появление микровыступов на поверхностях образцов объясняется протекающими в облучаемом слое стекла процесcами радиационно-стимулированной диффузии и отжигом дефектов.

Рассмотрены вопросы по улучшению технических характеристик генераторов Маркса, предназначенных для зарядки водяных формирующих линий питания, индуктивных накопителей энергии с плазменным размыкателем тока. Для выбора оптимальной компоновки разрядной цепи генератора Маркса из импульсных конденсаторов ИК100-0,4, ИК200-0,1 или ИК200-0,05 использовался метод полномасштабного макетирования. Сопоставление разрядных цепей показало, что использование конденсаторов с зарядным напряжением 200 кВ позволяет значительно улучшить характеристики генератора Маркса.

Представлены результаты исследований и расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости прецизионных кварцевых генераторов ГК271-ТС к воздействию высокоэнергетических протонов.

Проведен анализ результатов измерения формы импульса мощности экспозиционной дозы на мишени ускорителя, на расстояниях 0,1 и 0,7 м от мишени за год эксплуатации методики М 193. Выявлена значительная неоднородность поля излучения на мишени и различие в форме импульса по сравнению с точкой 0,7 м. Испытателям при необходимости точных измерений мощности дозы вблизи мишени предложено проводить их прямо на объектах.