На главную страницу Редакционная коллегия Содержания выпусков К сведению авторов Авторская карточка Редакционная этика English






Стр.
Выпуск 1, 2017
5-11
Методология оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию отдельных заряженных частиц космического пространства по одиночным сбоям и отказам

К.Г. Сизова1, П.К. Скоробогатов2, Ю.А. Ветринский3

1ООО «НПЦ «Гранат»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: ksizova@npcgranat.ru
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
г. Санкт-Петербург, Россия

Проведена оценка стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию отдельных заряженных частиц космического пространства по одиночным эффектам в соответствии с положениями РД 134-0139-2005. Выявлены ограничения существующего подхода в оценке стойкости современной радиоэлектронной аппаратуры и предложен вариант его развития. Внедрен этап расчетно-экспериментальной оценки, позволяющий определять стойкость функционально сложных систем с учетом их восстановлений. Предоставлен сравнительный анализ показателей стойкости аппаратуры, полученный на базе существующего и предложенного подхода.

Ключевые слова: вероятность, отказ, сбой, ионизирующее излучение, космический аппарат, одиночные эффекты, радиационная стойкость, радиоэлектронная аппаратура, расчетно-экспериментальный метод оценки.
12-14
Отработка методики лазерного нагрева кристаллов электронной компонентной базы при испытаниях на стойкость к одиночным радиационным эффектам

Е.В. Митин1, П.Ю. Громов1, Е.Н. Некрасова1, Н.А. Иванов2

1ООО «НПЦ «Гранат»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: emitin@npcgranat.ru
2ФБГУ «Петербургский институт ядерной физики» НИЦ «Курчатовский институт»
г. Гатчина, Ленинградская обл., Россия

Предложен метод бесконтактного нагрева кристаллов электронной компонентной базы при радиационных испытаниях с использованием мощных лазеров ИК-диапазона. Приводится пример практической реализации метода, результаты экспериментов с различными образцами изделий, а также результаты компьютерного моделирования тепловых процессов в вакууме и на воздухе. Обсуждается применимость метода с точки зрения неоднородности распределения температуры в испытываемом образце, скорости нагрева и других факторов.

Ключевые слова: испытания, повышенная температура, защелкивание, температурный диапазон.
15-17
Исследование особенностей возникновения латентных дефектов в подзатворном диэлектрике МОП-транзисторов при воздействии тяжелых заряженных частиц

Е.В. Митин1, П.В. Семенчуков1, Н.А. Иванов2

1ООО «НПЦ «Гранат»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: emitin@npcgranat.ru
2ФБГУ «Петербургский институт ядерной физики» НИЦ «Курчатовский институт»
г. Гатчина, Ленинградская обл., Россия

Проведено обзорное исследование данных по свойствам латентных дефектов, возникающих в подзатворном диэлектрике МОП-транзисторов. Обсуждается классификация латентных дефектов, механизмы их возникновения и влияние на свойства облученных образцов. Впервые приводятся зависимости чувствительности МОП-транзисторов к возникновению латентных дефектов от угла падения частиц. Предлагаются коррективы к методам испытаний на пробой подзатворного диэлектрика, регламентируемым действующей нормативной документацией.

Ключевые слова: МОП-транзистор, латентный дефект, тяжелые заряженные частицы, SEGR, пробой, исследования.
18-21
Вопросы задания требований по стойкости интегральных схем при воздействии тяжелых заряженных частиц

А.И. Чумаков1,2, В.М. Ужегов3, А.О. Ахметов1,2, Д.В. Бойченко1,2, А.В. Яненко1,2, Н.В. Рясной4

1Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
e-mail: ahmet@spels.ru
2АО «ЭНПО СПЭЛС»
г. Москва, Россия
3ФГУП «Центральный научно-исследовательский институт машиностроения»
г. Королев, Московская обл., Россия
4АО «Ракетно-космический центр «Прогресс»
г. Самара, Россия

Предложен подход к заданию требований по стойкости интегральных схем (ИС) при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ), который основан на сравнении вероятностей отказов ИС, связанных с надёжностью, и отказов, возникающих в ИС при воздействии ТЗЧ в наиболее жестких условиях эксплуатации.

Ключевые слова: тяжелые заряженные частицы, интегральная микросхема, требования по стойкости к одиночным отказам.
22-25
Влияние электрического режима на образование поверхностных дефектов в МОП-транзисторе при длительном низкоинтенсивном воздействии гамма-излучения

К.А. Петухов, В.Д. Попов

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
e-mail: wdpopov@mail.ru

Представлены результаты эксперимента по облучению КМОП ИМС при мощности дозы 0,1 рад/с в электрическом и пассивном режимах. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования, в обоих случаях при облучении МОП-транзисторов как с n-каналом, так и с р-каналом.

Ключевые слова: электрический режим, пассивный режим, относительное изменение поверхностной подвижности электронов и дырок, два этапа образования поверхностных дефектов.
26-30
Параметрический анализ расчетов интенсивности сбоев в условиях космического пространства

А.М. Галимов, Е.В. Мрозовская, И.В. Жиленков, Р.М. Галимова, Г.И. Зебрев

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
e-mail: farmat913144@gmail.com

Проведено сравнение реальных полетных данных интенсивности сбоев в коммерческих микросхемах памяти с результатами расчетов, полученными с помощью новой компактной модели. Представлен параметрический анализ расчетов интенсивности сбоев, и показаны преимущества использования нового подхода.

Ключевые слова: одиночные эффекты, частота сбоев, сечение сбоя, тяжелые заряженные частицы, моделирование.
31-35
Определение запаса стойкости КМОП ИМС при воздействии ионизирующего излучения

Ф.В. Чубруков

ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова»
г. Москва, Россия
e-mail: vniia@vniia.ru

Представлен подход к определению дозового запаса функционирования КМОП-микросхем, основанный на измерении сток-затворных характеристик n- и p-канальных транзисторов из состава микросхем в процессе воздействия статического гамма-излучения. Представленный подход позволяет определять дозовые запасы по функционированию КМОП-микросхем для различного напряжения питания и прогнозировать дозовый уровень функционального отказа микросхем.

Ключевые слова: прогнозирование стойкости, функциональный отказ, КМОП-микросхема.
36-42
Трехслойная монокристаллическая эмиттерная оболочка

Н.А. Бочков, А.С. Гонтарь, Е.Г. Колесников, М.В. Нелидов

ФГУП «Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение «ЛУЧ»
г. Подольск, Московская обл., Россия
e-mail: gontar@istok.sialuch.ru

Проведены сравнительные расчетно-экспериментальные исследования сопротивления ползучести и термоциклическому воздействию двух- и трехслойных образцов эмиттеров из монокристаллических сплавов W-Nb, Mo-Nb и монокристаллического вольфрама. Показано, что использование трехслойной оболочки позволяет обеспечить длительный ресурс электрогенерирующих каналов при одновременном снижении ее стоимости.

Ключевые слова: трехслойная эмиттерная оболочка, монокристаллические сплавы W, W-Nb, Mo-Nb, ползучесть, термоциклическая стойкость.
43-46
О необходимости корректировки положений РД В 319.03.31-99 при расчете норм испытаний сложных многоэлементных изделиий электронной техники

О.Г. Айтуганов, А.И. Петров

АО «Научно-производственное предприятие «Исток» им. Шокина»
г. Фрязино, Московская обл., Россия
e-mail: info@istokmw.ru

Показана ошибочность применения положений РД В 319.03.31-99 при расчете норм испытаний на стойкость к воздействию специальных факторов сложных многоэлементных изделий электронной техники. Предлагается либо ограничиваться при расчете норм испытаний по ГОСТ РВ 20.39.414-98, либо скорректировать РД таким образом, чтобы сделать его применимым к расчету норм испытаний многоэлементных изделий электронной техники.

Ключевые слова: изделия электронной техники, нормы испытаний, специальные факторы.
47-50
Диагностика работы периферийных систем ускорителя ЛИУ-10

Д.М. Иващенко, Н.Г. Мордасов, А.П. Землянский, А.И. Абрамов

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: ngmordasov@niipribor.ru

Представлена аппаратная реализация и программное обеспечение системы диагностики работы периферийных узлов ускорителя ЛИУ-10 с использованием цифровых регистраторов различных типов.

Ключевые слова: ускоритель ЛИУ-10, блок-схема, измерительная система, тормозное излучение.