На главную страницу Редакционная коллегия Содержания выпусков К сведению авторов Авторская карточка Редакционная этика English






Стр.
Выпуск 3, 2017
5-10
Микродозиметрический подход к прогнозированию множественных сбоев в интегральных микросхемах высокой степени интеграции при действии тяжелых заряженных частиц

В.Ф. Зинченко

АО «Российские космические системы»
г. Москва, Россия
e-mail: otdelenie17@spacecorp.ru

Предложен подход к прогнозированию множественных сбоев в цифровых ИС высокой степени интеграции при действии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) с учетом таких факторов, как радиальное распределение плотности ионизации в треке ТЗЧ, флуктуации линейных потерь энергии ТЗЧ при прохождении через чувствительный объем интегральных микросхем и диффузионный сбор заряда элементарными ячейками памяти, попадающими в зону влияния трека.

Ключевые слова: цифровые интегральные микросхемы, множественные сбои, тяжелые заряженные частицы, флуктуации линейных потерь энергии.
11-19
Интерпретация результатов измерения переноса заряда в диэлектрике по времяпролетной методике

Б.А. Шилобреев

ФГКУ «12 Центральный научно-исследовательский институт» Минобороны России
г. Сергиев Посад, Московская обл., Россия
e-mail: Shilobr1931@yandex.ru

По результатам публикаций подвижности носителей заряда в полимерных материалах проведено восстановление первичных измеренных данных во времяпролетном эксперименте скорости носителей. Установлено, что восстановленная скорость носителей заряда однородна по толщине пленки в 19-ти из 22-х независимых опытов, что означает моноэнергетичность ловушек в большинстве материалов. Функции Аррениуса для скорости в трех (из семи) независимых опытах для поливинилкарбазола (ПВК) линейны и пересекаются вблизи оси ординат, что означает отсутствие в ПВК противоречия теории и эксперимента, которое наблюдается в случае использования подвижности.

Ключевые слова: времяпролетная методика, полимерные материалы, носители заряда.
20-27
Анализ радиационно-стимулированных структурных изменений поверхностей защитных стёкол солнечных батарей космических аппаратов

Р.Х. Хасаншин1,2, В.И. Костюк1, С.В. Токарь1, А.В. Косогоров2, Д.А. Применко2, А.С. Савина2

1ОАО «Композит»
г. Королев, Московская обл., Россия
e-mail: rhkhas@mail.ru
2Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
г. Москва, Россия

Проведен сравнительный анализ результатов исследований методами атомно-силовой микроскопии морфологии стекол К-208 и CMG, облученых электронами. Показано, что количество и высота микровыступов и глубина разрядных каналов-параметров, характеризующих структурные изменения поверхностей стекол, обусловленные электростатическими разрядами при облучении в одинаковых условиях, существенно отличаются.

Ключевые слова: электронное облучение, стекла К-208 и CMG, структура поверхности, атомно-силовая микроскопия.
28-33
Влияние условий облучения на радиационную стойкость цифровых термометров DS18B20

О.В. Мещуров, Р.Г. Усеинов

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: Niip66@bk.ru

Проведены исследования радиационной стойкости микросхем DS18B20, DS18B20+ и DS18B20/GG8 при воздействии гамма-излучения на установках с изотопными источниками 60Со. Показано, что радиационная стойкость микросхем DS18B20 зависит от температуры окружающей среды, напряжения питания микросхемы и мощности дозы гамма-излучения.

Ключевые слова: микросхема, мощность дозы гамма-излучения, температура облучения, пассивный и активный электрический режим функционирования, радиационная стойкость.
34-36
Гетерофотопреобразователи на спектральный диапазон 970±30 нм, стойкие к воздействию ионизирующих излучений

А.Н. Труфанов

ФГУП «ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»
г. Нижний Новгород, Россия
e-mail: atrufanov@niiis.nnov.ru

Рассмотрены фотопреобразователи на основе гетеропереходов GaAs-InGaAs, рассчитанные на длину волны лазерного излучения 970±30 нм. Представлена методика исследований их стойкости к воздействию импульсного ионизирующего излучения и результаты измерений. Показана степень деградации характеристик структур после воздействий разного вида излучений.

Ключевые слова: фотопреобразователь, гетероструктура GaAs-InGaAs, радиационная стойкость.
37-40
КНС-фотодиоды, стойкие к воздействию радиации

А.Н. Труфанов

ФГУП «ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»
г. Нижний Новгород, Россия
e-mail: atrufanov@niiis.nnov.ru

Теоретически и экспериментально изучены электрофизические свойства фотодиодов на основе структур кремний на сапфире. Показано, что их основные параметры не уступают кремниевым диодам, а уровень радиационной стойкости на порядок выше, чем у аналогичных диодов на объемном кремнии.

Ключевые слова: КНС-фотодиод, радиационная стойкость.
41-44
Воспроизведение норм испытаний в ближней зоне реактора ПРИЗ-М

Д.Н. Артамонов, Д.В. Койнов, И.С. Краснокутский, Г.Л. Пикалов, А.А. Чаплыгин

ФГКУ «12 Центральный научно-исследовательский институт» Минобороны России
г. Сергиев Посад, Московская обл., Россия
e-mail: fgu12tsnii@mil.ru

Рассмотрены технология и алгоритм одновременного воспроизведения заданных значений флюенса нейтронов с энергиями более 0,1 МэВ и экспозиционной дозы гамма-излучения, являющихся нормами испытаний изделий электронной техники на реакторе ПРИЗ-М. Анализируются параметры излучений в ближней зоне реактора, в том числе при использовании устройств, конвертирующих часть нейтронов в гамма-кванты.

Ключевые слова: исследовательский реактор, радиационная стойкость, нормы испытаний, флюенс нейтронов, экспозиционная доза гамма-излучения.