МЕНЮ

Стр.
Выпуск 2, 2018
5-10
Моделирование токов утечки в цифровой схеме DS18B20 при гамма-облучении: пример использования модели глобальных утечек в КМОП ИС

Р.Г. Усеинов1, Г.И. Зебрев2, О.В.Мещуров1

1АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: rust.us@mail.ru
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия

С помощью аналитической модели глобальных токовых утечек под STI изолирующими окислами КМОП ИС описываются экспериментальные дозовые зависимости токов утечки в цифровой схеме DS18B20, полученные при различных условиях облучения: для различных значений мощностей доз облучения, для разных температур облучения и для различных электрических режимов. Моделирование показывает, что используемая модель весьма успешно описывает все наблюдаемые экспериментальные зависимости. В дополнение к этому установлено, что модель способна описывать различия, наблюдаемые при облучении КМОП ИС на разных источниках ионизирующего излучения, в частности при рентгеновском (10 кэВ) и гамма-облучении. Показано также, что модель может быть эффективно использована как средство предварительного прогнозирования стойкости КМОП ИС на этапе их технологического проектирования.

Ключевые слова: КМОП ИС, STI окисел, радиационно-индуцированный ток утечки, моделирование.
11-15
Влияние электрического режима на стойкость NOR флеш-памяти к воздействию дозы гамма-излучения

С.К. Труфанов, А.И. Озеров, А.С. Петров

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: sktrufanov@niipribor.ru

Представлены результаты экспериментальных исследований различных типов NOR флеш-памяти при воздействии гамма-излучения и проведен анализ полученных результатов в сравнении с литературными данными. Показано, что периферийное оборудование имеет значительное влияние на стойкость NOR флеш-памяти к воздействию гамма-излучения, которая также сильно зависит от режима при облучении: динамический режим «стирание-чтение-запись-чтение» является самым жестким, а пассивный режим без подачи электрической нагрузки во время облучения – наименее жестким.

Ключевые слова: доза гамма-излучения, NOR флеш-память, электрический режим.
16-19
Диагностирование запаса стойкости КМОП-микросхем в условиях воздействия ионизирующего излучения

В.И. Бутин, Ф.В. Чубруков

ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова»
г. Москва, Россия
e-mail: vniia@vniia.ru

Представлено теоретическое и экспериментальное обоснование возможности разработки метода диагностирования запаса по функционированию цифровых КМОП-микросхем в составе радиоэлектронной аппаратуры при воздействии статического гамма-излучения, основанного на физических принципах деградации сток-затворных характеристик p- и n-канальных транзисторов из состава микросхем.

Ключевые слова: КМОП-микросхема, радиационная стойкость, прогнозирование стойкости, диагностика, ионизирующее излучение.
20-24
Критичные режимы функционирования микросхем памяти FRAM-технологии в условиях воздействия специальных факторов

А.А. Малышев, Р.В. Слабоус, Д.П. Соложенцев, Ф.В. Чубруков

ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова»
г. Москва, Россия
e-mail: vniia@vniia.ru

Представлены результаты экспериментальных исследований функционирования сегнетоэлектрического энергонезависимого ОЗУ 1666РЕ014, изготовленного по FRAM-технологии, в процессе воздействия специальных факторов. Приведены дозовые уровни отказов микросхем в зависимости от режимов функционирования (чтение, запись, перезапись), а также от электрического режима в процессе облучения.

Ключевые слова: FRAM-технология, радиационная стойкость, гамма-излучение, микросхемы памяти, сегнетоэлектрическая память, 1666РЕ014, режимы испытаний.
25-30
Воздействие гамма-излучения на параметры счетного триггера

Ю.В. Богатырев1, С.Б. Ластовский1, Д.А. Огородников1, В.А. Чеховский2, М.С. Темирбулатов3, В.И. Эннс3, В.Н. Шмигельский3

1ГО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению»
г. Минск, Беларусь
e-mail: bogat@ifttp.bas-net.by
2НИУ «Институт ядерных проблем» Белгосуниверситета
г. Минск, Беларусь
3АО «НИИ Молекулярной Электроники»
г. Москва, Россия

Представлены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на функционирование, статические и динамические параметры счетного триггера на основе КНИ-структур при различных электрических режимах.

Ключевые слова: гамма-излучение, счетный триггер, КНИ-структуры, радиационная стойкость, электрический режим.
31-34
Измерительный комплекс для проведения испытаний источников вторичного электропитания на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц

А.В. Бесецкий, А.И. Озеров, А.В. Филимонов

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: aiozerov@niipribor.ru

Представлен измерительный комплекс, разработанный для контроля электрических параметров источников вторичного электропитания при проведении испытаний на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц.

Ключевые слова: тяжелые заряженные частицы, источник вторичного электропитания, LabView, программное обеспечение, области безотказной работы.
35-37
Использование установки УКПН-1М для оценки стойкости электронной компонентной базы к структурным эффектам воздействия факторов космического пространства

М.В. Баньковский, В.В. Казаков, С.Н. Маслова-Зарецкая, В.М. Олухов

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: mvbankovskii@niipribor.ru

Показана возможность использования установки УКПН-1М в качестве моделирующей при оценке соответствия электронной компонентной базы по стойкости к воздействию протонного излучения космического пространства. Приводятся технические и метрологические данные установки, предназначенной для поверки дозиметров и радиометров нейтронного излучения. Описаны трудности возникающие при аттестации установки.

Ключевые слова: установка УКПН-1М, нейтронное излучение, протонное излучение, плутоний-бериллиевый источник.
38-40
Обоснование возможности проведения испытаний крупногабаритных объектов на стойкость к воздействию флюенса нейтронов с использованием реактора ПРИЗ-М

Д.Н. Артамонов, Е.Ю. Бахматов, И.А. Бурлака, М.Ю. Кораблев, Д.В. Койнов, А.И. Рымарь, А.А. Чаплыгин, М.К. Шалай

ФГКУ «12 Центральный научно-исследовательский институт» Минобороны России
г. Сергиев-Посад, Московская обл., Россия
e-mail: fgu12tsnii@mil.ru

Представлены результаты математического моделирования параметров нейтронного излучения реактора ПРИЗ-М на открытой площадке для размещения крупногабаритных объектов испытаний. Определены линейные размеры зоны пространства, где обеспечивается допустимая неравномерность облучения объекта испытаний. Предлагается перспективный вариант технического решения, обеспечивающего локально-циклическое облучение крупногабаритного объекта испытаний.

Ключевые слова: математическое моделирование, радиационные испытания, крупногабаритные объекты, флюенс нейтронов, неравномерность облучения.
41-43
Априорное определение неравномерности нейтронного поля ядерного реактора ПРИЗ-М

Д.Е. Бахматов, И.В. Голубь, А.И. Рымарь, С.В. Силюнцев, С.С. Улькин, М.П. Федчук, А.А. Чаплыгин

ФГКУ «12 Центральный научно-исследовательский институт» Минобороны России
г. Сергиев-Посад, Московская обл., Россия
e-mail: fgu12tsnii@mil.ru

Представлены расчетные зависимости пространственной неоднородности облучения объекта испытаний от его линейного размера и удаления от источника излучения. Проиллюстрирован графический способ определения минимального расстояния от активной зоны исследовательского ядерного реактора ПРИЗ-М, на котором обеспечивается допустимая неравномерность облучения по всей длине крупногабаритного объекта испытаний.

Ключевые слова: неравномерность облучения, крупногабаритные объекты, флюенс нейтронов.
44-47
Габаритные характеристики испытательного объёма статического ядерного реактора ПРИЗ-М

Д.Е. Бахматов, Р.А. Костин, А.А. Крот, К.Б. Махмудов, А.И. Рымарь, Д.Р. Сазонов, С.С. Улькин, М.П. Федчук

ФГКУ «12 Центральный научно-исследовательский институт» Минобороны России
г. Сергиев-Посад, Московская обл., Россия
e-mail: fgu12tsnii@mil.ru

Рассмотрены вопросы, связанные с обеспечением требуемой нормативными документами неравномерности, гамма-нейтронных полей статического ядерного реактора ПРИЗ-М при проведении испытаний на радиационную стойкость. Приводится определение испытательного объёма. Представлены расчётные зависимости длины, ширины и высоты испытательного объёма от расстояния до активной зоны реактора.

Ключевые слова: неравномерность облучения, крупногабаритные объекты, испытательный объём.
48-49
Экспериментальные исследования реакции источника вторичного электропитания и подключенных элементов радиоэлектронной аппаратуры при воздействии импульсного гамма-излучения

Е.Ю. Бахматов, С.В. Вдовин, Д.Н. Есипов, Д.В. Койнов, А.И. Рымарь, Ю.Н. Стрелков, С.С. Улькин, М.К. Шалай

ФГКУ «12 Центральный научно-исследовательский институт» Минобороны России
г. Сергиев-Посад, Московская обл., Россия
e-mail: fgu12tsnii@mil.ru

Представлены результаты экспериментальных исследований радиационной реакции источника вторичного электропитания и диодной сборки на воздействие импульсного гамма-рентгеновского излучения моделирующей установки Транс-4-1. Установлено наличие взаимовлияния радиационной реакции источника вторичного электропитания и подключенных элементов радиоэлектронной аппаратуры при воздействии импульсного гамма-излучения.

Ключевые слова: экспериментальные исследования, импульсное гамма-излучение, радиоэлектронная аппаратура, радиационная реакция.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 276-53-01
  • +7 (495) 552-39-40
  • risi@niipribor.ru