МЕНЮ

Стр.
Выпуск 2, 2022
5-10
Возможности импульсных ускорителей электронов АО «НИИП» для моделирования эффектов мощности дозы в широком диапазоне длительностей импульсов

В.В. Емельянов, А.С. Петров, М.В. Баньковский

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: ASPetrov@niipribor.ru

Показаны актуальные возможности импульсных ускорителей электронов ЛИУ-10, РИУС-5, УИН-10М для испытаний изделий электронной компонентной базы (ЭКБ) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИ). На примере результатов, полученных на ускорителях ЛИУ-10, РИУС-5 и УИН-10М для импульсного отклика диодной структуры, представлен метод моделирования реакции изделий ЭКБ на воздействие импульсного ИИ с учетом амплитудно-временных характеристик воздействия.

Ключевые слова: ускорители электронов, эффекты мощности дозы, длительность импульса, форма импульса, переходная характеристика.
11-18
Особенности деградации спектральных характеристик SI- и GAAS-фотодиодов при нейтронном облучении

И.В. Воробьева, С.М. Дубровских, О.В. Ткачев

ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия
e-mail: dep5@vniitf.ru

Представлены результаты исследований спектральной чувствительности фотодиодов на основе полупроводниковых материалов Si и GaAs при их нейтронном облучении. Получено, что для фотодиодов на основе непрямозонных полупроводников (Si) наблюдается более сильная деградация длинноволновой части спектральной характеристики, а для фотодиодов на основе прямозонных полупроводников (GaAs) – равномерная деградация фоточувствительности во всем спектральном диапазоне. Рассмотренные в работе модельные представления позволяют описать влияние нейтронного облучения на спектральные характеристики образцов с учётом электрических режимов их включения. Результаты работы могут быть применены при проектировании радиационно стойких оптопар.

Ключевые слова: спектральная чувствительность, ионизирующее излучение, фотодиоды, радиационные дефекты, неравновесные носители заряда.
19-24
Влияние плотности потока нейтронов на сечение одиночных радиационных эффектов в мощных МОП-транзисторах

О.В. Ткачев, С.М. Дубровских, К.Д. Кокшарова, А.С. Кустов, О.А. Мингазов

ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия
e-mail: dep5@vniitf.ru

Исследовано влияние плотности потока нейтронов на сечение одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в мощных МОП-транзисторах. Показано, что при плотности потока нейтронов выше 1015 нейтр./(см2·с) сечение возрастает. Выполненный в работе анализ показывает, что рост сечения ОРЭ с увеличением плотности потока нейтронов может быть обусловлен многонейтронным взаимодействием излучения с активной областью транзистора.

Ключевые слова: МОП-транзисторы, одиночные радиационные эффекты, плотность потока нейтронов
25-33
Исследование спектров частот удельной энергии заряда, образуемого в микроэлектронике космических аппаратов в результате ядерных реакций

М.В. Анохин1,2,3, В.И. Галкин2, А.Е. Дубов1,О.В. Морозов2, Л.В. Савкин1, В.В. Сазонов2

1Специальное конструкторское бюро космического приборостроения
Института космических исследований Российской академии наук,
г. Таруса, Россия
e-mail: anokhinmikhail@yandex.ru
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
г. Москва, Россия
3Институт тонких экологичных технологий,
г. Таруса, Россия

Проведено исследование частотных спектров удельной энергии, образуемых в кристаллах полупроводников микроэлектроники современных космических аппаратов в результате ядерных реакций, вызванных космическими лучами. В качестве одной из причин возникновения сбоев и отказов микроэлектроники рассматривается пик Брэгга в месте остановки заряженных частиц, наблюдаемый практически во всех частотных спектрах, полученных посредством ПЗС- и КМОП-матричных детекторов. Затронута необходимость разработки алгоритмов, позволяющих осуществлять идентификацию битых восстанавливаемых пикселей.

Ключевые слова: космический аппарат, микроэлектроника, частотный и дозовый спектры, трек, локальный кластер, ядерная реакция, пик Брэгга.
34-36
Оценка требований к стойкости по дозовому эффекту используемых в бортовой аппаратуре электрорадиоизделий при полете космического аппарата к Сатурну

Т.Ш. Комбаев1, М.Е. Артемов2, Н.М. Хамидуллина2

1Филиал АО «Научно-производственное объединение им. С.А. Лавочкина»
г. Калуга, Россия
2АО «Научно-производственное объединение им. С.А. Лавочкина»
г. Химки, Московская область, Россия
e-mail: kombaew@ya.ru

Представлены результаты расчета спектров потоков ионизирующих излучений космического пространства и поглощенных доз в кремнии за сферическими защитами из алюминия при перелете к Сатурну и функционировании космического аппарата в системе планеты. Проведено сравнение полученных результатов с типичными значениями дозовых нагрузок за аналогичными защитами на геостационарной орбите и орбите типа «Молния». На основании расчетов доз сделана предварительная оценка величины радиационной стойкости по дозовому эффекту электронной компонентной базы, используемой при создании бортовой аппаратуры.

Ключевые слова: космический аппарат, поглощенная доза, система Сатурна, массовая защита, радиационная стойкость.
37-40
Определение эквивалентных потоков и суммарных неионизационных доз протонов, электронов и нейтронов на орбитах космических аппаратов типа «Молния»

Т.Ш. Комбаев1, М.Е. Артемов2, Н.М. Хамидуллина2

1Филиал АО «Научно-производственное объединение им. С.А. Лавочкина»
г. Калуга, Россия
2АО «Научно-производственное объединение им. С.А. Лавочкина»
г. Химки, Московская область, Россия
e-mail: kombaew@ya.ru

Представлены результаты расчета эквивалентных флюенсов и неионизационной дозы от протонов, электронов и нейтронов космического пространства при полете космического аппарата по орбите типа «Молния». Данные параметры характеризуют неионизационное взаимодействие энергичных частиц с материалами современных интегральных микросхем (ИМС), так называемые эффекты смещения или структурные повреждения. Проведено сравнение полученных результатов с типичными значениями стойкости изделий электронной компонентной базы (ЭКБ) к структурным повреждениям, а также дана оценка величин массовых защит, при которых эффектами смещения нельзя пренебрегать.

Ключевые слова: космический аппарат, радиационные эффекты, структурные повреждения, массовая защита, эквивалентный поток.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 663-90-95
  • +7 (495) 663-90-74
  • risi@niipribor.ru