Предложен метод оценки уровня бессбойной работы (УБР) различного класса электронно-компонентной базы на основе электрических характеристик устройства, а также приведённого в статье коэффициента радиационной чувствительности без проведения радиационных испытаний. Представлены примеры применения предложенного метода для микросхемы памяти коммерческого исполнения фирмы UTRON, микросхемы памяти, выполненной по технологии «кремний-на-изоляторе», и микроконтроллера фирмы ATMEGA. Исследованы УБР микросхем. Определены электрические параметры микросхем при помощи эквивалентной схемы замещения.

Рассмотрены подходы к моделированию уровней сбоев в интегральных схемах (ИС) при воздействии импульсного нейтронного излучения, вызванных объемной ионизацией полупроводниковой структуры. В зависимости от плотности потока нейтронного излучения ионизационная реакция формируется различными механизмами. При высокой интенсивности имеет место интегрированная реакция всего кристалла ИС, тогда как при низкой – имеют место одиночные радиационные эффекты. В промежуточной области возникают одиночные радиационные эффекты на фоне протекания относительно больших ионизационных токов. В настоящей работе представлены результаты моделирования интегрированной ионизационной реакции ИС при различных условиях, за счет которой в основном и возникают сбои. Показано, что характер ионизационной реакции ИС в сильной степени зависит от спектрального состава излучения, а при относительно небольших расстояниях от источника излучения и от возможного сопутствующего импульса гамма-излучения.

Современная российская космическая программа предполагает изучение дальнего космоса автоматическими космическими аппаратами (КА), на борту которых для обеспечения электропитания на большом удалении от Солнца и для поддержания теплового режима работы бортовой аппаратуры (БА) применяются радиоизотопные источники ионизирующих излучений. Мощные потоки нейтронов от таких источников создают в БА дозовые ионизационные и неионизационные эффекты, а также случайные одиночные сбои и отказы, которые могут доминировать в качестве разрушающего фактора для БА по сравнению с влиянием ионизирующих излучений космического пространства. Таким образом, важной задачей еще на этапе проектирования является корректный расчет радиационных характеристик на борту КА с учетом воздействия радиоизотопных источников и прогнозирование на этой основе стойкости предполагаемой к применению электронной компонентной базы.

Разработана экспериментальная сборка, позволяющая снизить последствия негативного воздействия ионизирующего излучения на выходную мощность фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводниковых материалов AIIIBV/Ge. Предложена методика для определения режима инжекционного отжига, согласно которой для солнечных батарей, эксплуатируемых на геостационарной орбите, отжиг при плотности тока инжекции (90÷100) мА/см² через каждый год в течение не более 5,5 часов позволит получить выигрыш по мощности в конце срока активного существования 43,29 %.

Предложена методика испытаний изделий электронной техники (ИЭТ) на импульсную электрическую прочность, позволяющая уменьшить в два раза количество ИЭТ, необходимое для испытаний.

Предложен основанный на экспериментальных данных расчетный подход для оценки распределения поглощенной дозы в протяженном объекте при воздействии гамма-нейтронного излучения исследовательского ядерного реактора БИГР. Проведено сравнение неравномерности радиационного воздействия как по поверхности объекта, так и внутри чувствительной области объекта при использовании опорно-поворотного устройства и без него. Показано значительное снижение неравномерности дозового воздействия на объект при использовании опорно-поворотного устройства.