На главную страницу Редакционная коллегия Содержания выпусков К сведению авторов Авторская карточка Редакционная этика English






Стр.

Выпуск 1, 2015

5-8
Особенности математической обработки результатов испытаний на стойкость к одиночным событиям

Митин Е.В., Некрасова Е.Н., Сивачева К.Г.

Рассмотрены особенности математической обработки результатов испытаний на стойкость к одиночным событиям. Аппроксимация экспериментальных данных 4-х параметрической функцией Вейбулла проводилась в нескольких программных продуктах, обычно используемых для анализа результатов испытаний. Было обнаружено, что для большинства рассмотренных изделий выбор программы для обработки экспериментальных данных, а также способа аппроксимации (стандартный или взвешенный метод наименьших квадратов), не влияет на величину частоты отказов, однако оказывает существенное влияние на пороговое значение линейных потерь энергии.
Ключевые слова: функция Вейбулла, одиночные события, линейные потери энергии.
9-13
Развитие и верификация метода оценки геометрических параметров областей ИС, чувствительных к одиночным эффектам отказа

Митин Е.В., Сивачева К.Г., Некрасова Е.Н.

Приведено исследование, которое является продолжением цикла работ, посвященных определению геометрических параметров чувствительных областей интегральных схем (ИС) при испытаниях на стойкость к одиночным эффектам отказа. Изучение алгоритмов расчета частоты одиночных эффектов, заложенных в стандартном программном обеспечении для расчета показателей стойкости, а также наблюдения за характером поведения ИС при воздействии лазерного излучения, показали необходимость перехода от модели intracell к модели intercell. Предложенный метод позволяет оценить геометрические параметры чувствительных областей, а также их количество, основываясь исключительно на результатах экспериментальных данных.
Ключевые слова: тиристорный эффект, чувствительные области, частота отказов, показатели стойкости.
14-19
Методология характеризации сечения множественных сбоев в цифровых схемах памяти высокой степени интеграции

Зебрев Г.И., Земцов К.С., Озеров А.И., Емельянов В.В., Усейнов Р.Г., Горбунов М.С., Анашин В.С., Козюков А.С.

Проблема характеризации множественных сбоев от одиночных частиц в цифровых схемах памяти высокой интеграции с технологической нормой менее 100 нм рассматривается с использованием новой функции, интерполирующей экспериментальные зависимости среднего сечения сбоя в условиях отсутствия насыщения. Обсуждается связь такого поведения сечения от линейной передачи энергии (ЛПЭ) с нелокальностью воздействия отдельного иона, флуктуации энерговыделения, уменьшения выхода заряда при больших ЛПЭ.
Ключевые слова: одиночные эффекты, множественные сбои, сечение сбоя, ЛПЭ, моделирование.
20-23
Моделирование немонотонного поведения дозовой деградации биполярных приборов в рамках нелинейной системы скоростных уравнений

Зебрев Г.И., Дроздецкий М.Г., Галимов А.М., Усеинов Р.Г.

В рамках численной нелинейной модели проведено моделирование деградации параметров биполярных приборов для разных условий и историй облучения образцов. Показано, что наблюдаемое при облучении биполярных приборов немонотонная деградация может быть объяснена с помощью нелинейной системы кинетических уравнений для накопления заряда в полевом окисле и поверхностных рекомбинационных центров.
Ключевые слова: мощность дозы, деградация, ELDRS, биполярная технология, отжиг, моделирование.
24-27
Электромагнитное поле, наведенное потоком коротких импульсов гамма-квантов высокой энергии, распространяющихся в воздушной среде

Чудновский А.Л.

Оценены электромагнитные излучения внутри корпуса летательных аппаратов, наведенные остаточной энергией гамма-квантов от импульсных узконаправленных источников гамма-квантов высокой энергии. Показано, что может возникнуть угроза функционирования электронного оборудования, размещенного внутри алюминиевого корпуса.
Ключевые слова: электромагнитное излучение, тормозной источник гамма-квантов, рождение и аннигиляция электронно-позитронных пар.
28-33
Численное моделирование радиационной деградации радиоэлектронных компонентов

Окунцов М.И., Юнда Н.Т.

Предложена линейная эмпирическая модель для численного моделирования деградации параметров электронных компонентов в процессе радиационных испытаний, учитывающая разброс параметров испытуемых компонентов и статистическую неопределенность уровней доз облучения.
Ключевые слова: эмпирическая модель, электронные компоненты, метод Монте-Карло, радиационная деградация, статистическая неопределенность.
34-38
Исследование эффективности использования лакокрасочных и терморегулирующих покрытий для защиты бортовой аппаратуры от воздействия ионизирующих излучений космического пространства

Зинченко В.Ф., Романенко А.А., Ужегов В.М., Анашин В.С., Протопопов Г.А., Григоревский А.В., Хасаншин Р.Х., Согоян А.В.

Представлены результаты расчетных и экспериментальных исследований по оптимизации многослойных защитных покрытий с целью снижения локальных дозовых нагрузок в приборах бортовой аппаратуры космических аппаратов. Показано, что применение промышленных образцов терморегулирующих покрытий при определенных условиях позволяет снизить дозу ионизирующих излучений космического пространства в 2-3 раза по сравнению с защитой из алюминия с эквивалентной массовой толщиной.
Ключевые слова: космический аппарат, ионизирующее излучение, защитное покрытие.
39-43
Одиночные события в мощных МОП-транзисторах при воздействии нейтронов с энергией 14 МэВ

Басаргина Н.В., Ворожцова И.В., Дубровских С.М., Купырина Т.В., Ткачёв О.В., Шукайло В.П.

Представлены результаты по исследованию влияния статического облучения нейтронами с энергией 14 МэВ на мощные IGBT и MOSFET-транзисторы. Показано, что при облучении в цепи стока транзистора возникают импульсы тока. Эффект характеризуется случайным характером появления импульсов, что имеет место при напряжении сток-исток выше некоторого порога; частотой появления импульсов, величина которой экспоненциально возрастает с повышением напряжения; сечением эффекта, которое для n-канальных транзисторов зависит от ориентации образца относительно поля излучения; в отдельных случаях катастрофическим отказом, аналогичным по конечному результату SEGR (пробой подзатворного диэлектрика).
Ключевые слова: МОП-транзисторы, одиночные события, статистическое облучение.
44-50
Модификация структуры поверхности стекла при электроразрядных процессах под действием электронов с энергией 40 кэВ

Хасаншин Р.Х., Костюк В.И., Коровин С.Б., Волкова Я.Б., Косогоров А.В., Поржежинская Е.Ю., Свечкин В.П.

Исследовано влияние условий электронного облучения стекла К-208 на развитие электростатических разрядов, приводящих к модификации его поверхности. Изменения структуры поверхностей образцов стекла изучались методами атомно-силовой микроскопии. Облучение образцов электронами с энергией Ee0 = 40 кэВ и плотностью потока φe от 1010 до 2,0·1011 см-2·с-1 проводилось в вакуумной камере при давлении pν = 10-3 Па. В экспериментах наблюдались разряды, сопровождающиеся выбросом плазмы в окружающее пространство и образованием разрядных каналов глубиной до 5 нм; отдельных микровыступов высотой до 200 нм и кластеров из них; структур площадью до 25 мкм2, возвышающихся над поверхностью стекла в среднем на 2 нм. Показано, что структурные изменения поверхности зависят как от условий облучения – значений параметров φe и pν, так и от наличия на стекле макроскопических дефектов.
Ключевые слова: электростатические разряды, электронное оборудование, стекло К-208, атомно-силовая микроскопия.
51-53
Оперативное определение мощности поглощенной дозы в чувствительном объеме изделий электронной техники при радиационных испытаниях

Зинченко В.Ф., Иващенко Д.М., Мордасов Н.Г.

На базе созданной диагностической системы ускорителя УИН-10 и его программного обеспечения создан расчётно-экспериментальный метод оперативного определения мощности поглощённой дозы и поглощённой дозы тормозного излучения в чувствительном объёме облучаемых изделий.
Ключевые слова: комплекс УИН-10П, мощность дозы, поглощённая доза.
54-56
Техническая система обеспечения безопасности проведения испытаний на комплексе УИН-10П

Микулин И.Н., Мордасов Н.Г., Иващенко Д.М.

Приведён анализ возможности создания технической системы безопасности проведения испытаний на комплексе УИН-10П в соответствии с требованиями СанПиН 6.1.2573-2010. Показана реализация данной технической системы на комплексе УИН-10П, обеспечивающей контроль действий персонала во время проведения пусков.
Ключевые слова: комплекс УИН-10П, система безопасности, технический контроль.