На главную страницу Редакционная коллегия Содержания выпусков К сведению авторов Авторская карточка Редакционная этика English






Стр.
Выпуск 4, 2015
5-10
Методика разнесения компонентов СБИС для преодоления многократных сбоев при воздействии ТЗЧ

А.П. Скоробогатов

ФГУ ФНЦ «Научно-исследовательский институт системных исследований РАН»
Россия, г. Москва
e-mail: skorobog_a@cs.niisi.ras.ru

Представлено обоснование пространственного разнесения регистров сверхбольших интегральных схем (СБИС) для уменьшения частоты многократных сбоев при воздействии тяжелых заряженных частиц. Приводятся результаты моделирования кратности сбоев в модулях процессоров, разрабатываемых в рамках текущих опытно-конструкторских разработок. Приведена методика разнесения чувствительных элементов СБИС в рамках стандартного функционала современных средств автоматизированного проектирования.

Ключевые слова: тяжелая заряженная частица, сбоеустойчивость, многократный сбой, пространственное разнесение.
11-19
Моделирование переходных процессов в системе чтения регистровых файлов вследствие одиночных событий

А.О. Балбеков

ФГУ ФНЦ «Научно-исследовательский институт системных исследований РАН»
Россия, г. Москва
e-mail: balbekov@cs.niisi.ras.ru

Представлены результаты применения методики оценки сбоеустойчивости комбинационных схем для анализа сбоев в системе чтения регистровых файлов. Описаны и проанализированы переходные процессы, вызванные попаданием одиночных частиц в элементы системы чтения, имеющие разные принципы работы.

Ключевые слова: сбоеустойчивость, одиночный эффект переходной ионизационной реакции, столбцевые буферы, регистровый файл, усилитель чтения, DICE.
20-27
Анализ возможностей повышения производительности сбоеустойчивого микропроцессора, использующего специализированные ячейки и коды с исправлением ошибок в КЭШ-памяти

А.О. Балбеков1, М.С. Горбунов1,2, И.А. Данилов1, П.С. Долотов1, А.А. Киселева1,  С.И. Ольчев1, К.А. Петров1, А.П. Скоробогатов1, А.И. Шнайдер1

1ФГУ ФНЦ «Научно-исследовательский институт системных исследований РАН»
Россия, г. Москва
e-mail: balbekov@cs.niisi.ras.ru
2 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия, г. Москва

Проведён анализ среднего времени доступа к кэш-памяти в зависимости от размера L1 кэш-памяти с различными вариантами реализации L1 и L2 – на DICE и 6T ячейках с использованием и без использования корректирующих кодов.

Ключевые слова: одиночные сбои, ТЗЧ, многократные сбои, критический заряд, DICE, СОЗУ, КМОП, охранные кольца, дозовые эффекты.
28-37
Оценка стойкости элементов цифровой электроники к эффектам единичных сбоев в области малых значений величин линейной передачи энергии

М.М. Венедиктов, В.К. Киселев

ФГУП «ФНПЦ Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»
Россия, г. Нижний Новгород
e-mail: m.ven@mail.ru

Предложен один из способов обработки результатов испытаний цифровых интегральных микросхем на стойкость к воздействию тяжёлых заряженных частиц (ТЗЧ), или ионов различных энергий космического пространства, который состоит в особенностях интерпретации зависимости поперечного сечения единичных сбоев в области малых значений линейных потерь энергии (linear energy transfer – LET).

Ключевые слова: эффекты сбоев, single event effect (SEЕ), single event upset (SEU), ТЗЧ, равномерный закон распределения, трёхпараметрический закон распределения Вейбулла, значение величины линейной передачи энергии, критерии сбоя.
38-42
Компактная модель для оценки интенсивности сбоев в условиях космического пространства

Г.И. Зебрев, К.С. Земцов

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия, г. Москва
e-mail: gizebrev@mephi.ru

Показана неоднозначность традиционного метода приближенной оценки интенсивности сбоев с помощью «числа качества» (figure of merit) и предложена новая формула для расчёта. Предложена новая процедура расчета количества сбоев в космическом пространстве, вызванных прямой ионизацией тяжелыми заряженными частицами, основанная на новой параметризации надпорогового участка зависимости сечения от линейной передачи энергии.

Ключевые слова: одиночные эффекты, интенсивность сбоев, сечение сбоя, тяжелые заряженные частицы, множественные сбои, моделирование.
43-46
Изменение параметров МОП-транзисторов при низкоинтенсивном облучении

Р.В. Власов, В.Д. Попов

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия, г. Москва
e-mail: wdpopov@mail.ru

Представлены экспериментальные данные и зависимости изменения параметров МОП-транзисторов КМОП ИМС под воздействием низкоинтенсивного гамма-излучения с мощностями дозы 0,1 и 1,0 рад/с. Продемонстрировано использование методики подпороговых токов для определения числа встроенных поверхностных дефектов. Подтвержден процесс двухэтапного образования поверхностных дефектов.

Ключевые слова: КМОП инвертор, МОП-транзисторы с n-каналом и p-каналом, крутизна стоко-затворной характеристики, поверхностные дефекты, низкоинтенсивное облучение.
47-51
Применение МОП-транзисторов для оперативной дозиметрии в полях ионизирующих излучений

В.И. Бутин, А.В. Бутина, Ф.В. Чубруков

ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова»
Россия, г. Москва
e-mail: vniia@vniia.ru

Предложена методика применения МОП-транзисторов в качестве детекторов дозовой нагрузки. Методика основывается на использовании физически обоснованной дозовой зависимости вольт-амперных характеристик (ВАХ) p-канальных МОП-транзисторов от поглощенной дозы. По результатам калибровки с помощью электрофизической модели дозовых эффектов определяются численные значения параметров дозовой зависимости ВАХ, на основании которой по результатам измерения тока стока МОП-транзистора в надпороговом режиме рассчитывается величина поглощенной дозы.

Ключевые слова: оперативная дозиметрия, МОП-транзистор, поглощенная доза, КМОП ИМС, калибровка.
52-58
Радиационная стойкость ряда изделий электронной техники при облучении на установке ГУ-200 в активном и пассивном электрических режимах

Б.Н. Семенец, А.А. Сафьянов, А.К. Липский, А.Н. Махиня, М.В. Назаренко

ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
Россия, Московская обл., г. Лыткарино
e-mail: risi@niipribor.ru

Представлены результаты испытаний изделий MAX280, IRFL4105, CDCLVC1102, MSA2805, MSA2815, ADM2486, TPS62040 и TPS3823 в активном и пассивном электрических режимах. Показано отличие в радиационной стойкости изделий по дозовым эффектам в активном и пассивном режимах, которое необходимо учитывать при оценке радиационного ресурса бортовой аппаратуры космических аппаратов с «холодным» резервированием.

Ключевые слова: дозовые эффекты, электрический режим, резерв.
59-60
Применение положений РД в 319.03.31 к вопросу определения норм испытаний для многоэлементных ЭРИ на стойкость к воздействию специальных факторов

О.Г. Айтуганов, А.И. Петров

АО «Научно-производственное предприятие «Исток» им. Шокина»
Россия, Московская обл., г. Фрязино
e-mail: info@istokmw.ru

Исследовано приложение положений РД В 319.03.31 к испытаниям многоэлементных электрорадиоизделий (ЭРИ) на стойкость к воздействию спецфакторов. Показано, что применение положений данного РД существенно затрудняет оценку стойкости к воздействию спецфакторов таких изделий.

Ключевые слова: электрорадиоизделия, модули СВЧ, специальные факторы.
61-64
Методика формирования длительности импульса тормозного излучения на ускорителе УИН-10

Д.М. Иващенко, В.А. Каменский, Н.Г. Мордасов, А.П. Метелёв, А.А. Фёдоров, Н.И. Филатов

ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
Россия, Московская обл., г. Лыткарино
e-mail: risi@niipribor.ru

Современные методики радиационных испытаний требуют формирования импульсов гамма-излучения на моделирующей установке в диапазоне длительности 0,01÷3,0 мкс при неизменном уровне мощности дозы. На ускорителе УИН-10 определена зависимость длительности переднего фронта импульса тока в вакуумном диоде, а также характеристики импульса тормозного излучения при работе в режиме генерирования сфокусированного пучка от параметров электровзрывного прерывателя тока (количество проводников, их сечение и длина). Для обеспечения задачи корректирования заднего фронта импульса в конструкцию ускорителя введён бескорпусный «срезающий» разрядник, установленный между электровзрывным прерывателем и обостряющим разрядником.

Ключевые слова: ускоритель УИН-10, радиационные испытания, срезающий разрядник, электровзрывной прерыватель тока.
65-68
Повышение воспроизводимости выходных характеристик ускорителя УИН-10

Н.Г. Мордасов, Д.М. Иващенко, В.А. Каменский, А.П. Метелёв, А.А. Фёдоров, Н.И. Филатов

ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
Россия, Московская обл., г. Лыткарино
e-mail: risi@niipribor.ru

Осуществлена модернизация ускорителя УИН-10, позволившая повысить воспроизводимость характеристик импульса гамма-излучения посредством использования катодного разрядника в цепи перед вакуумным диодом.

Ключевые слова: ускоритель УИН-10, радиационные испытания, воспроизводимость характеристик.
69-70
Модернизация катод-анодного узла ускорителя УИН-10

Т.Б. Мавлюдов, Д.М. Иващенко, Н.Г. Мордасов

ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
Россия, Московская обл., г. Лыткарино
e-mail: risi@niipribor.ru

С целью повышения производительности ускорителя УИН-10 разработана конструкция катод-анодного узла, предусматривающая установку вакуумного затвора и обеспечивающая быструю смену мишени без снятия вакуума. Конструкция также позволяет производить измерение тока на мишени в постоянной конфигурации пучка.

Ключевые слова: ускоритель УИН-10, выводное устройство, вакуумный затвор, катод, вакуумный диод.
71-74
Использование однокаскадного газового разрядника для формирования импульса на ускорителе УИН-10

Д.М. Иващенко, В.А. Каменский, Н.Г. Мордасов, А.П. Метелёв, А.А. Фёдоров, Н.И. Филатов

ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
Россия, Московская обл., г. Лыткарино
e-mail: risi@niipribor.ru

Исследовано влияние давления в газовом обостряющем разряднике на формирование высоковольтного импульса в ускорительной трубке ускорителя УИН-10. Показано, что с ростом давления в обостряющем разряднике возникает прирост высокоэнергетической компоненты спектров электронного и тормозного излучения, а также происходит укорочение длительности переднего фронта, изменение длительности и формы импульса тормозного излучения.

Ключевые слова: ускоритель УИН-10, спектр тормозного излучения, обостряющий разрядник.
75-77
Компактный датчик для измерения нано- и субнаносекундных импульсов тока

В.В. Кочергин, К.В. Лаврентьев, Д.М. Иващенко

ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
Россия, Московская обл., г. Лыткарино
e-mail: risi@niipribor.ru

Приведена конструкция датчика тока с шунтом на основе чип-резисторов для измерения нано- и субнаносекундных импульсов тока амплитудой до 1000 А. Датчик тока предназначен для измерения отдельных составляющих конструкционных токов с целью исследования их распределения по элементам конструкции летательного аппарата.

Ключевые слова: токовый шунт, конструкционные токи.