АО НИИП

Стр.	Выпуск 1, 2016
5-9	Методические особенности испытаний базовых матричных кристаллов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц на примере ИС 1592хм3у-006вп *А.В. Филимонов, В.В. Емельянов, А.И. Озеров* ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов» г. Лыткарино, Московская обл., Россия e-mail: risi@niipribor.ru Рассмотрены методические особенности подготовки и проведения испытаний на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) базовых матричных кристаллов на примере ИС 1592ХМ3У-006ВП. Показаны основные этапы и особенности разработки алгоритмов функционального контроля и способов регистрации событий одиночных эффектов, программного обеспечения для проведения испытаний на стойкость к воздействию ТЗЧ. Ключевые слова: базовые матричные кристаллы, подготовка и проведение испытаний, ТЗЧ, одиночные радиационные эффекты, алгоритмы функционального контроля.
10-14	Особенности проведения испытаний цифровых приемопередатчиков на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц *М.В. Каменский, В.В. Емельянов, А.И. Озеров, А.В. Бесецкий* ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов» г. Лыткарино, Московская обл., Россия e-mail: risi@niipribor.ru Рассмотрены особенности методик проведения испытаний цифровых приемопередатчиков на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц, включая алгоритмы проведения функционального контроля и методы регистрации одиночных событий. Ключевые слова: приемопередатчики, тиристорный эффект, тяжелые заряженные частицы.
15-18	Моделирование радиационного отклика мощного МОП-транзистора с вертикальной структурой к воздействию поглощенной дозы ионизирующего излучения *Е.Н. Некрасова¹, Е.В. Митин¹, В.Г. Малинин²* ¹ООО «НПЦ «Гранат» г. Санкт-Петербург, Россия e-mail: emitin@npcgranat.ru ²АО «РНИИ «Электронстандарт» г. Санкт-Петербург, Россия Проведено моделирование воздействия рентгеновского излучения комплекса FILIN-122/160 на мощный МОП-транзистор с вертикальной структурой в разработанной авторами программе, основанной на библиотеках Geant4. Обсуждается формирование профиля положительного заряда, накопленного в окисле МОП-транзистора под воздействием ионизирующего излучения, и его влияние на радиационный отклик изделия. Сравнение результатов моделирования с имеющимися экспериментальными данными показало возможность применения разработанной программы для сопровождения радиационных испытаний на воздействие поглощенной дозы. Ключевые слова: моделирование, ионизирующее излучение, МОП-транзистор, накопленный заряд, туннелирование.
19-21	Исследование изменения плотности поверхностных дефектов при длительном низкоинтенсивном облучении КМОП ИМС зарубежного производства *Р.В. Власов, Е.С. Паршакова, В.Д. Попов* Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» г. Москва, Россия e-mail: wdpopov@mail.ru Проведены эксперименты по облучению гамма-лучами КМОП ИМС типа CD4069UBCN при трех мощностях дозы. Определено изменение плотности поверхностных дефектов. Показано наличие двух этапов поверхностного дефектообразования. Ключевые слова: КМОП-инвертор, МОП-транзисторы с n-каналом, крутизна стоко-затворной характеристики, поверхностная подвижность, поверхностные дефекты, низкоинтенсивное облучение.
22-28	Использование резервирования критических узлов бортовой аппаратуры для увеличения сроков активного существования космических аппаратов В.Ф. Зинченко¹, К.В. Лаврентьев¹, Р.Г. Усеинов¹, В.М. Ужегов², Н.Н. Булгаков³, А.С. Семочкин³ ¹ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов» г. Лыткарино, Московская обл., Россия e-mail: VFZinchenko@niipribor.ru ²ФГУП «Центральный научно-исследовательский институт машиностроения» г. Королев, Московская обл., Россия ³АО «Российские космические системы» г. Москва, Россия Рассмотрены вопросы, связанные с выбором оптимального временного и электрического режима резервирования критических узлов бортовой аппаратуры с целью увеличения срока активного существования космических аппаратов. Обсуждается влияние резервирования на повышение стойкости бортовой аппаратуры к дозовым эффектам и эффектам одиночных событий в условиях длительного воздействия ионизирующих излучений космического пространства. Ключевые слова: радиационная стойкость, бортовая аппаратура, резервирование, срок активного существования, космическое пространство, дозовые эффекты, эффекты одиночных событий.
29-36	Радиационные эффекты в изделиях полупроводниковой микроэлектроники современных технологий *В.Ф. Зинченко¹, А.А. Романенко¹, Р.Г. Усеинов¹, В.М. Ужегов²* ¹ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов» г. Лыткарино, Московская обл., Россия e-mail: VFZinchenko@niipribor.ru ²ФГУП «Центральный научно-исследовательский институт машиностроения» г. Королев, Московская обл., Россия Рассмотрены современные технологии производства изделий полупроводниковой микроэлектроники и их влияние на стойкость современных интегральных микросхем и полупроводниковых приборов к дозовым эффектам и эффектам одиночных событий в условиях действия ионизирующих излучений космического пространства. Ключевые слова: изделия полупроводниковой микроэлектроники, современные технологии, скейлинг, радиационные эффекты, ионизирующие излучения, космическое пространство.
37-41	Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами ⁶⁰Со *А.В. Градобоев, П.В. Рубанов, В.В. Седнев* Национальный исследовательский Томский политехнический университет г. Томск, Россия e-mail: gradoboev1@mail.ru Представлены результаты исследования изменения параметров светодиодов ИК-диапазона, изготовленных на основе двойных гетероструктур AlGaAs, под воздействием гамма-квантов ⁶⁰Со в зависимости от температуры облучения. В результате исследований установлено, что существует несколько следующих друг за другом этапов снижения мощности излучения светодиодов при воздействии ионизирующего излучения. Повышение температуры при облучении гамма-квантами приводит к повышению стойкости на первом этапе вследствие радиационно-стимулированного отжига дефектов, что приводит снижению относительного вклада первого этапа в общее снижение мощности. Установлено, что при температуре облучения более 380 К первый этап снижения мощности излучения светодиодов исключается полностью. На втором этапе наблюдаемое повышение стойкости определяется только снижением относительного вклада менее стойкого первого этапа в общее снижение мощности излучения. Ключевые слова: светодиоды, гетероструктуры, AlGaAs, ИК-диапазон, гамма-кванты, температура.
42-47	Моделирование «конденсаторного» SEGR в мощных МОП-транзисторах *Р.Г. Усеинов¹, Г.И. Зебрев², В.В. Емельянов¹, А.С. Ватуев¹* ¹ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов» г. Лыткарино, Московская обл., Россия e-mail: risi@niipribor.ru ²Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» г. Москва, Россия Изучен деструктивный эффект пробоя подзатворного диэлектрика (SEGR) в мощных МОП-транзисторах (МОПТ), возникающий при прохождении тяжелых заряженных частиц через транзистор. На основе ранее полученных экспериментальных данных для зависимости сечения «конденсаторного» SEGR в мощном МОПТ от напряжения на затворе в ходе облучения ионами, моделируется поведение сечения как функции от указанного напряжения. Полученная формула может быть использована как инструмент для предсказания вероятности возникновения SEGR под действием заданного спектра тяжелых ионов в условиях космического пространства. Ключевые слова: МОПТ, окисел, моделирование, I-V характеристика, страгглинг, SEGR, тяжелый ион, ЛПЭ.
48-56	Возможности углублённого исследования характеристик радиационной стойкости электронной компонентной базы для радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов по одиночным эффектам с помощью лазерного воздействия *В.С. Анашин¹, Р.В. Власов², П.А. Чубунов^1,2* ¹Филиал ОАО «Объединённая ракетно-космическая корпорация» – «Научно-исследовательский институт космического приборостроения» г. Москва, Россия e-mail: npk1-niikp@mail.ru ²Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» г. Москва, Россия Описаны возможности применения лазерных имитационных методов для контроля и обеспечения стойкости электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры в части одиночных эффектов на примере испытаний статистического запоминающего устройства (СОЗУ) UT6264 CPCL-70LL на ускорителе ионов и лазерном имитаторе. Ключевые слова: ионизирующее излучение, лазерное излучение, одиночные эффекты, стойкость.
57-60	Автоматизированное рабочее место для проведения радиационных испытаний ЭКБ *А.Н. Панченко, Г.А. Полиенко, С.Л. Эльяш, А.В. Родигин, А.В. Тетеревков* ФГУП «Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики» г. Саров, Нижегородская обл., Россия e-mail: panchenko@expd.vniief.ru Разработано автоматизированное рабочее место (АРМ) на базе малогабаритных импульсных ускорителей) АРСА-М и Аргумент-М для проведения радиационных исследований и испытаний изделий электронной техники на воздействие спецфактора вида 7.И. Ключевые слова: автоматизированное рабочее место, импульсное рентгеновское излучение, программно-аппаратная измерительная система, радиационная стойкость ЭКБ, система измерения полей нагружения, функциональное тестирование.