На главную страницу Редакционная коллегия Содержания выпусков К сведению авторов Авторская карточка Редакционная этика English






Стр.
Выпуск 1, 2016
5-9
Методические особенности испытаний базовых матричных кристаллов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц на примере ИС 1592хм3у-006вп

А.В. Филимонов, В.В. Емельянов, А.И. Озеров

ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: risi@niipribor.ru

Рассмотрены методические особенности подготовки и проведения испытаний на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) базовых матричных кристаллов на примере ИС 1592ХМ3У-006ВП. Показаны основные этапы и особенности разработки алгоритмов функционального контроля и способов регистрации событий одиночных эффектов, программного обеспечения для проведения испытаний на стойкость к воздействию ТЗЧ.

Ключевые слова: базовые матричные кристаллы, подготовка и проведение испытаний, ТЗЧ, одиночные радиационные эффекты, алгоритмы функционального контроля.
10-14
Особенности проведения испытаний цифровых приемопередатчиков на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц

М.В. Каменский, В.В. Емельянов, А.И. Озеров, А.В. Бесецкий

ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: risi@niipribor.ru

Рассмотрены особенности методик проведения испытаний цифровых приемопередатчиков на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц, включая алгоритмы проведения функционального контроля и методы регистрации одиночных событий.

Ключевые слова: приемопередатчики, тиристорный эффект, тяжелые заряженные частицы.
15-18
Моделирование радиационного отклика мощного МОП-транзистора с вертикальной структурой к воздействию поглощенной дозы ионизирующего излучения

Е.Н. Некрасова1, Е.В. Митин1, В.Г. Малинин2

1ООО «НПЦ «Гранат»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: emitin@npcgranat.ru
2АО «РНИИ «Электронстандарт»
г. Санкт-Петербург, Россия

Проведено моделирование воздействия рентгеновского излучения комплекса FILIN-122/160 на мощный МОП-транзистор с вертикальной структурой в разработанной авторами программе, основанной на библиотеках Geant4. Обсуждается формирование профиля положительного заряда, накопленного в окисле МОП-транзистора под воздействием ионизирующего излучения, и его влияние на радиационный отклик изделия. Сравнение результатов моделирования с имеющимися экспериментальными данными показало возможность применения разработанной программы для сопровождения радиационных испытаний на воздействие поглощенной дозы.

Ключевые слова: моделирование, ионизирующее излучение, МОП-транзистор, накопленный заряд, туннелирование.
19-21
Исследование изменения плотности поверхностных дефектов при длительном низкоинтенсивном облучении КМОП ИМС зарубежного производства

Р.В. Власов, Е.С. Паршакова, В.Д. Попов

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
e-mail: wdpopov@mail.ru

Проведены эксперименты по облучению гамма-лучами КМОП ИМС типа CD4069UBCN при трех мощностях дозы. Определено изменение плотности поверхностных дефектов. Показано наличие двух этапов поверхностного дефектообразования.

Ключевые слова: КМОП-инвертор, МОП-транзисторы с n-каналом, крутизна стоко-затворной характеристики, поверхностная подвижность, поверхностные дефекты, низкоинтенсивное облучение.
22-28
Использование резервирования критических узлов бортовой аппаратуры для увеличения сроков активного существования космических аппаратов

В.Ф. Зинченко1, К.В. Лаврентьев1, Р.Г. Усеинов1, В.М. Ужегов2,
Н.Н. Булгаков3, А.С. Семочкин3

1ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: VFZinchenko@niipribor.ru
2ФГУП «Центральный научно-исследовательский институт машиностроения»
г. Королев, Московская обл., Россия
3АО «Российские космические системы»
г. Москва, Россия

Рассмотрены вопросы, связанные с выбором оптимального временного и электрического режима резервирования критических узлов бортовой аппаратуры с целью увеличения срока активного существования космических аппаратов. Обсуждается влияние резервирования на повышение стойкости бортовой аппаратуры к дозовым эффектам и эффектам одиночных событий в условиях длительного воздействия ионизирующих излучений космического пространства.

Ключевые слова: радиационная стойкость, бортовая аппаратура, резервирование, срок активного существования, космическое пространство, дозовые эффекты, эффекты одиночных событий.
29-36
Радиационные эффекты в изделиях полупроводниковой микроэлектроники современных технологий

В.Ф. Зинченко1, А.А. Романенко1, Р.Г. Усеинов1, В.М. Ужегов2

1ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: VFZinchenko@niipribor.ru
2ФГУП «Центральный научно-исследовательский институт машиностроения»
г. Королев, Московская обл., Россия

Рассмотрены современные технологии производства изделий полупроводниковой микроэлектроники и их влияние на стойкость современных интегральных микросхем и полупроводниковых приборов к дозовым эффектам и эффектам одиночных событий в условиях действия ионизирующих излучений космического пространства.

Ключевые слова: изделия полупроводниковой микроэлектроники, современные технологии, скейлинг, радиационные эффекты, ионизирующие излучения, космическое пространство.
37-41
Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со

А.В. Градобоев, П.В. Рубанов, В.В. Седнев

Национальный исследовательский Томский политехнический университет
г. Томск, Россия
e-mail: gradoboev1@mail.ru

Представлены результаты исследования изменения параметров светодиодов ИК-диапазона, изготовленных на основе двойных гетероструктур AlGaAs, под воздействием гамма-квантов 60Со в зависимости от температуры облучения. В результате исследований установлено, что существует несколько следующих друг за другом этапов снижения мощности излучения светодиодов при воздействии ионизирующего излучения. Повышение температуры при облучении гамма-квантами приводит к повышению стойкости на первом этапе вследствие радиационно-стимулированного отжига дефектов, что приводит снижению относительного вклада первого этапа в общее снижение мощности. Установлено, что при температуре облучения более 380 К первый этап снижения мощности излучения светодиодов исключается полностью. На втором этапе наблюдаемое повышение стойкости определяется    только снижением относительного вклада менее стойкого первого этапа в общее снижение мощности излучения.

Ключевые слова: светодиоды, гетероструктуры, AlGaAs, ИК-диапазон, гамма-кванты, температура.
42-47
Моделирование «конденсаторного» SEGR в мощных МОП-транзисторах

Р.Г. Усеинов1, Г.И. Зебрев2, В.В. Емельянов1, А.С. Ватуев1

1ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: risi@niipribor.ru
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия

Изучен деструктивный эффект пробоя подзатворного диэлектрика (SEGR) в мощных МОП-транзисторах (МОПТ), возникающий при прохождении тяжелых заряженных частиц через транзистор. На основе ранее полученных экспериментальных данных для зависимости сечения «конденсаторного» SEGR в мощном МОПТ от напряжения на затворе в ходе облучения ионами, моделируется поведение сечения как функции от указанного напряжения. Полученная формула может быть использована как инструмент для предсказания вероятности возникновения SEGR под действием заданного спектра тяжелых ионов в условиях космического пространства.

Ключевые слова: МОПТ, окисел, моделирование, I-V характеристика, страгглинг, SEGR, тяжелый ион, ЛПЭ.
48-56
Возможности углублённого исследования характеристик радиационной стойкости электронной компонентной базы для радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов по одиночным эффектам с помощью лазерного воздействия

В.С. Анашин1, Р.В. Власов2, П.А. Чубунов1,2

1Филиал ОАО «Объединённая ракетно-космическая корпорация» –
«Научно-исследовательский институт космического приборостроения»
г. Москва, Россия
e-mail: npk1-niikp@mail.ru
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия

Описаны возможности применения лазерных имитационных методов для контроля и обеспечения стойкости электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры в части одиночных эффектов на примере испытаний статистического запоминающего устройства (СОЗУ) UT6264 CPCL-70LL на ускорителе ионов и лазерном имитаторе.

Ключевые слова: ионизирующее излучение, лазерное излучение, одиночные эффекты, стойкость.
57-60
Автоматизированное рабочее место для проведения радиационных испытаний ЭКБ

А.Н. Панченко, Г.А. Полиенко, С.Л. Эльяш, А.В. Родигин, А.В. Тетеревков

ФГУП «Российский федеральный ядерный центр -
Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики»
г. Саров, Нижегородская обл., Россия
e-mail: panchenko@expd.vniief.ru

Разработано автоматизированное рабочее место (АРМ) на базе малогабаритных импульсных ускорителей) АРСА-М и Аргумент-М для проведения радиационных исследований и испытаний изделий электронной техники на воздействие спецфактора вида 7.И.

Ключевые слова: автоматизированное рабочее место, импульсное рентгеновское излучение, программно-аппаратная измерительная система, радиационная стойкость ЭКБ, система измерения полей нагружения, функциональное тестирование.