МЕНЮ

Стр.
Выпуск 3, 2018
5-10
Учет эффекта низкой интенсивности излучения при определении радиационной стойкости некоторых КМОП ИС

Ю.Б. Деревянко, Д.Ю. Деревянко, А.А. Романенко

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: ra240140@mail.ru

Приведены результаты экспериментальных исследований влияния низкой интенсивности воздействия гамма-излучения изотопа 60Со на показатели радиационной стойкости изделий микроэлектроники КМОП-технологии к дозовым ионизационным эффектам. Выяснено, что среднее значение стойкости исследованных трех типов КМОП ИС, облученных при мощности дозы излучения 0,008 рад(Si)/с, на десятки процентов выше, чем при облучении с мощностью дозы 50 рад(Si)/с.

Ключевые слова: гамма-излучение, интенсивность воздействия, дозовый ионизационный эффект, ток потребления КМОП ИС, радиационная стойкость, чувствительность к низкой мощности дозы облучения.
11-14
Использование программ метода Монте-Карло для расчетов поглощенных доз лучевым методом

О.А. Галихина, С.А. Лазарев, А.Н. Залялов

ФГУП «Российский федеральный ядерный центр –
Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики»
г. Саров, Нижегородская обл., Россия
e-mail: otd4@vniief.ru

Предложен вариант реализации лучевого метода расчета поглощенных доз в элементах радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов (КА) при воздействии ионизирующего излучения космического пространства с использованием программ расчета переноса фотонного излучения методом Монте-Карло. Такая схема реализации расчетов лучевым методом позволяет, при необходимости, проводить сравнение результатов с «прямыми» расчетами методом Монте-Карло для одной и той же модели. Приведены примеры расчетов для отдельных микросхем и модели КА.

Ключевые слова: метод Монте Карло, лучевой метод, поглощенная доза.
15-19
Исследование кратковременных сбоев ТТЛ-микросхем, работающих в режиме автогенерации, при воздействии наносекундных импульсов рентгеновского излучения

Д.Н. Литвин, А.Е. Чаунин, С.Л. Эльяш, А.Л. Юрьев, А.А. Селезнев

ФГУП «Российский федеральный ядерный центр –
Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики»
г. Саров, Нижегородская обл., Россия
e-mail: elyash@expd.vniief.ru

Проведено исследование кратковременных сбоев ТТЛ-микросхем при воздействии наносекундных импульсов рентгеновского излучения. За исключением серии 531 для всех исследованных образцов пороговая доза составила Dп ~ 0,015 Гр. Для серии 531 пороговая доза оказалась больше, что, возможно, связано с существенно большим током потребления, ускоряющим восстановление режима работы микросхемы уже в процессе облучения.

Ключевые слова: ускоритель АРСА, кратковременный сбой, интегральные микросхемы, рентгеновское излучение, время потери работоспособности, автогенерация.
20-26
Исследование функциональных сбоев аппаратуры диагностики высокотемпературной плазмы при воздействии наносекундных импульсов рентгеновского излучения

Д.Н. Литвин, А.Е. Чаунин, С.Л. Эльяш, А.Л. Юрьев, А.А. Селезнев

ФГУП «Российский федеральный ядерный центр –
Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики»
г. Саров, Нижегородская обл., Россия
e-mail: elyash@expd.vniief.ru

Проведены динамические исследования функциональных сбоев аппаратуры диагностики высокотемпературной плазмы при воздействии импульсного рентгеновского излучения. Из всех исследуемых приборов наиболее уязвимыми к рентгеновскому импульсу оказались электронно-оптический фотохронограф СЭР-5.

Ключевые слова: ускоритель АРСА, фотохронограф, ПЗС-камера, осциллограф, рентгеновское излучение.
27-30
Исследование процесса старения МОП-транзисторов с n-каналом

Н.А. Куликов, В.Д. Попов

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
e-mail: nikita93-07@bk.ru

Представлены результаты исследования плотности поверхностных дефектов в МОП-транзисторах КМОП ИМС при длительном воздействии температуры 150 °С в пассивном режиме.

Ключевые слова: МОП-транзистор, плотность поверхностных дефектов, повышенная температура, пассивный режим, длительные испытания, процесс старения.
31-38
Моделирование радиационных эффектов в транзисторах на КНС-структурах

Ю.А. Кабальнов, А.Н. Качемцев, С.В. Оболенский

Филиал ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» «НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»
г. Нижний Новгород, Россия
e-mail: Kabalnov@niiis.nnov.ru

Рассмотрено влияние гамма-облучения на характеристики КМОП КНС интегральных схем. Представлена математическая модель n-канальной МОП КНС транзисторной структуры с учетом параметров границы раздела кремний-диэлектрик. Приведены результаты моделирования дозовых эффектов с использованием разработанной компьютерной программы. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными. Соответствие теории и результатов эксперимента позволяет подтвердить правильность модельных представлений о формировании каналов утечек при воздействии гамма-облучения. Выбраны оптимальные режимы имплантации транзисторных структур, позволяющие изготовить микросхемы с повышенным уровнем радиационной стойкости.

Ключевые слова: структуры «кремний-на-сапфире», МОП-транзистор, гамма-облучение, моделирование дозовых эффектов, оптимизация технологии изготовления.
39-45
Повышение достоверности расчетов дозовых нагрузок на электронные компоненты в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов

Н.Н. Булгаков, В.Ф. Зинченко, Ю.А. Миршавка, С.А. Яхутин

АО «Российские космические системы»
г. Москва, Россия
e-mail: otdelenie17@spacecorp.ru

Разработан комплекс программ для проведения массовых инженерных расчетов плотности ионизации и структурных повреждений в материалах чувствительного объема изделий микроэлектроники (Si, Ge, GaAs и др.) при действии ионизирующих излучений космического пространства на бортовую аппаратуру (БА) космических аппаратов (КА). Реализована возможность автоматизированного формирования исходной трехмерной геометрии расчета локальных дозовых нагрузок в объеме приборов БА, используя информацию о 3D-моделях КА из сред моделирования типа Solid Works, 3D-MAX или аналогичного программного обеспечения.

Ключевые слова: локальные дозовые нагрузки, космическое пространство, электроны, протоны, лучевой метод, метод Монте-Карло.
46-50
Исследование физических процессов, приводящих к самовосстановлению электроники в поле ионизирующих частиц, образованном космическими лучами

М.В. Анохин1,6, В.А. Арефьев6, В.И. Галкин2, В.А. Дитлов4, А.Е. Дубов3, Л.М. Зелёный6, М.И. Панасюк1, Б.П. Руткевич3, В.М. Чабанов5, И.В. Чулков6

1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ, г. Москва, Россия
e-mail: anokhinmikhail@yandex.ru
2Физический Факультет МГУ, г. Москва, Россия
3Специальное Конструкторское Бюро Космического Приборостроения ИКИ РАН, г. Таруса, Россия
4Фгбу "Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И. Алиханова Ниц Ки, г. Москва, Россия
5Институт тонких экологичных технологий, г. Таруса, Россия
6Институт космических исследований РАН, г. Москва, Россия

Проведено экспериментальное исследование удельной энергии поля ионизирующих частиц с применением техники полупроводниковой ионизационной камеры. Использованный метод пригоден для проведения прямых измерений коэффициента качества поля ионизирующих частиц в штатных условиях эксплуатации. Обнаружено явление самовосстановления функционирования чувствительного элемента. Предлагается способ оперативной оценки качества космической «погоды в доме» в космическом аппарате и его эволюция во времени.

Ключевые слова: поле ионизирующих частиц, космические лучи, радиационная стойкость, чувствительный объём электронного элемента, трек ионизирующей частицы.
51-54
К вопросу об оптимизации обеспечения радиационной стойкости космической аппаратуры по ионизационным дозовым эффектам

Н.Г. Гамзатов1, Г.П. Руднев2, К.В. Литвицкий2

1АО «Научно-исследовательский институт «Субмикрон»
г. Москва, Зеленоград, Россия
e-mail: narimanzzz@mail.ru
2АО «Концерн радиостроения «Вега»
г. Москва, Россия

На основании результатов испытаний показано, что стойкость аналоговых микросхем к воздействию ионизирующего излучения (ИИ) по дозовым эффектам в составе функциональных узлов выше, чем при непосредственных испытаниях. Предложен один из возможных вариантов оптимизации обеспечения стойкости космической аппаратуры к воздействию ИИ по дозовым эффектам.

Ключевые слова: ионизирующее излучение, дозовые эффекты, режимы работы, критериальные параметры, аналоговые электрорадиоизделия.
55-58
Воспроизведение норм испытаний на реакторе ПРИЗ-М при двухстороннем облучении объекта

Г.Л. Пикалов, И.А. Бурлака, О.А. Николаев, И.С. Краснокутский, М.Ю. Кораблев

ФГКУ «12 Центральный научно-исследовательский институт» Минобороны России
г. Сергиев Посад, Россия
e-mail: fgu12tsnii@mil.ru

Приведены результаты расчетных исследований параметров излучений реактора ПРИЗ-М и алгоритм воспроизведения норм испытаний на радиационную стойкость при двухстороннем облучении крупногабаритных объектов. Показано, что по сравнению с односторонним облучением размеры испытательного объема с равномерными параметрами излучений увеличиваются до четырех раз.

Ключевые слова: исследовательский реактор, радиационная стойкость, нормы испытаний, флюенс нейтронов, экспозиционная доза гамма-излучения, зона облучения.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 276-53-01
  • +7 (495) 552-39-40
  • risi@niipribor.ru