МЕНЮ

Стр.
Выпуск 1, 2019
5-7
Исследование КМОП ИМС при низкоинтенсивном гамма-излучении

С.Н. Кулаков, Н.А. Куликов, В.В. Матешева, В.Д. Попов

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
e-mail: wdpopov@mail.ru

Представлены результаты эксперимента по облучению КМОП ИМС при мощности дозы 0,1 рад/с в пассивном режиме. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования при облучении МОП-транзисторов как с n-каналом, так и с р-каналом.

Ключевые слова: Ключевые слова: пассивный режим, относительное изменение поверхностной подвижности электронов и дырок, два этапа образования поверхностных дефектов.
8-13
Результаты исследования МОП-детектора поглощенной дозы при воздействии низкоинтенсивного гамма-излучения

О.В. Мещуров1, Р.Г. Усеинов1, А.Д. Артемов2

1АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: Niip66@bk.ru
2АО «Корпорация «Комета»
Москва, Россия

Проведены исследования изменения информативного параметра МОП-детектора поглощенной дозы в условиях воздействия гамма-излучения установок с изотопными источниками 60Со при мощности дозы в диапазоне от 0,00011 до 39,6 рад/с. Показано, что уменьшение мощности дозы приводит к незначительному увеличению чувствительности МОП-детектора. Полученные результаты сравниваются с градуировочной зависимостью информативного параметра МОП-детекторов от поглощенной дозы ионизирующего излучения. Предложена модель изменения информативного параметра как функции дозы ионизирующего излучения для разных мощностей доз.

Ключевые слова: Ключевые слова: МОП-детектор, чувствительность МОП-детектора, низкоинтенсивное гамма-излучение, мощность дозы гамма-излучения, поглощенная доза ионизирующего излучении, встраивание поверхностных состояний.
14-19
Исследование влияния нейтронного облучения на функциональные характеристики кремниевых p+-nn+-диодов

А.В. Каримов1, А.З. Рахматов2, Ш.М. Кулиев1, А.А. Каримов1, Б.М. Каманов1

1Физико-технический институт НПО «Физика-Солнца» Ан РУз
г. Ташкент, Узбекистан
e-mail: karimov@uzsci.net
2АО «FOTON»
г. Ташкент, Узбекистан

Приведены результаты исследования влияния нейтронного облучения на функциональные характеристики кремниевой p+-nn+-структуры. Под воздействием нейтронного облучения дозой 3∙1015 н/см2 обнаружено увеличение исходной толщины слоя объемного заряда p+-n-перехода более чем в два раза, что объясняется образованием i-слоя у границы с p+-n-переходом. При этом заданная напряженность электрического поля после облучения достигается при больших в два раза напряжениях, в результате чего уменьшается емкость структуры и время включения кремниевого диода.

Ключевые слова: Ключевые слова: кремниевая p+-nn+-структура, нейтронное облучение, емкость, время включения, объемный заряд, время восстановления.
20-38
Исследование пространственных характеристик тормозного излучения моделирующей установки АРСА

В.С. Фигуров1,2, В.В. Байков1,2, А.С. Артамонов1,2

1АО «ЭНПО СПЭЛС»
г. Москва, Россия
e-mail: vsfig@spels.ru
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия

Проведено экспериментальное исследование трехмерного распределения дозы тормозного из-лучения D(х, y, z) малогабаритной моделирующей установки АРСА в области z ≤ 100 мм (расстояние от мишени ускорителя по оси излучения). Отработаны методика и соответствующая программа, позволяющие по результатам контрольных измерений рассчитать значение дозы в любой точке данной области и определить неравномерность облучения плоских объектов, перпендикулярных оси излучения. Отработан метод оперативной экспериментальной оценки неравномерности облучения плоских объектов при их размещении в области z ≤ 500 мм.

Ключевые слова: Ключевые слова: моделирующая установка АРСА, трехмерное распределение дозы тормозного излучения, дозиметрическое сопровождение испытаний, методика и программа для определения дозы в точках трехмерной области и оценки неравномерности облучения плоских объектов.
39-54
Исследование зависимости уровней тормозного излучения моделирующей установки АРСА-1 от расстояния до её мишени

В.С. Фигуров1,2, В.В. Байков1,2, А.С. Артамонов1,2

1АО «ЭНПО СПЭЛС»
г. Москва, Россия
e-mail: vsfig@spels.ru
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия

Отработана методика определения зависимости дозы тормозного излучения моделирующей установки АРСА-1 от расстояния до её мишени. Методика основана на совместном использовании термолюминесцентных детекторов ПСТ и диодных датчиков. Предложено характеризовать зависимость дозы от расстояния до мишени дозовой кривой установки – зависимостью относительных значений дозы от расстояния. Определена дозовая кривая установки АРСА-1 и отработана методика дозиметрического сопровождения испытаний с использованием этой кривой.

Ключевые слова: Ключевые слова: ускоритель АРСА-1, тормозное излучение, дозиметрическое сопровождение испытаний, дозовая кривая установки, зависимость уровней излучения от расстояния до мишени.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 276-53-01
  • +7 (495) 552-39-40
  • risi@niipribor.ru