МЕНЮ

Стр.
Выпуск 3, 2019
5-11
Анализ радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию отдельных ядерных частиц космического пространства по одиночным эффектам на основе результатов испытаний в составе аппаратуры и поэлементно

К.Г. Сизова1, М.О. Прыгунов2, Н.А. Иванов3

1ООО «НПЦ «Топаз»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: ksizova@npcgranat.ru
2ООО «Радиоавтоматика»
г. Москва, Россия
3НИЦ «Курчатовский институт» - ПИЯФ
г. Гатчина, Ленинградская обл., Россия

Проведены испытания элементов, комплектующих радиоэлектронную аппаратуру (РЭА), по отдельности и в составе аппаратуры на базе синхроциклотрона С-1000 в ФГБУ «ПИЯФ им. Б.П. Константинова» с энергией протонов 1000 МэВ. Выполнена проверка соответствия реакции отдельных элементов РЭА на воздействие протонов при испытаниях с результатами испытаний РЭА в составе аппаратуры. Произведена количественная оценка показателей стойкости РЭА на основе данных о стойкости ее отдельных элементов. Выполнен сравнительный анализ показателей стойкости РЭА, полученных расчетно-экспериментальным и экспериментальным методом.

Ключевые слова: испытания, достоверность, радиационная стойкость, электрорадиоизделия, радиоэлектронная аппаратура, сечение, высокоэнергетичные протоны, космическое пространство, одиночные радиационные эффекты, метод.
12-18
Влияние низкоинтенсивного гамма-нейтронного облучения на параметры КНИ транзисторных структур

Ю.А. Кабальнов, А.Н. Качемцев, С.В. Оболенский

Филиал ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» «НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»
г. Нижний Новгород, Россия
e-mail: Kabalnov@niiis.nnov.ru

Рассмотрено влияние воздействия потока быстрых нейтронов и сопутствующего гамма-излучения на характеристики КМОП КНИ транзисторов. С использованием метода Монте-Карло проведен расчет неоднородностей в каскадах столкновений при нейтронном облучении структур КНИ. Экспериментальные данные по облучению тестовых транзисторных структур подтверждают результаты расчетов о снижении их дозовой чувствительности при комбинированном гамма-нейтронном облучении.

Ключевые слова: структуры «кремний-на-изоляторе», МОП-транзистор, гамма-нейтронное облучение, моделирование дефектов, метод Монте-Карло, каскады столкновений, технология изготовления.
19-23
Исследование подзатворного диэлектрика МОП-транзисторов, облученных тяжелыми ионами

Е.В. Митин1, П.Ю. Громов1, А.Е. Козюков2, А.И. Лоскот3

1ООО «НПЦ «Гранат»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: emitin@npcgranat.ru
2Филиал АО «Объединённая ракетно-космическая корпорация» -«Научно-исследовательский институт космического приборостроения»
г. Москва, Россия
3Военно-космическая академия имени А.Ф. Можайского
 г. Санкт-Петербург, Россия

Приведены результаты изучения свойств подзатворных окислов МОП-транзисторов, облученных тяжелыми ионами, методом измерения «заряда до пробоя». Обсуждается влияние на результаты электрического режима при облучении и угла падения частиц. Впервые приводятся свидетельства возникновения «телеграфного шума» тока затвора в частично пробитых образцах.

Ключевые слова: МОП-транзистор, латентный дефект, «телеграфный шум», тяжелые заряженные частицы, SEGR, пробой, исследования.
24-27
Люминесценция кристалла YAG:ND3+ при возбуждении импульсами тормозного и электронного излучений

В.П. Шукайло, О.В. Ткачёв, С.М. Дубровских, Т.В. Купырина

ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия
e-mail: dep5@vniitf.ru

Представлены результаты исследований спектра, кинетики и энергетического выхода люминесценции кристаллов YAG:Nd3+ при их облучении импульсами тормозного и электронного излучений со средними энергиями 1 и 2 МэВ соответственно.

Ключевые слова: ионизирующее излучение, кристалл YAG:Nd3+, радиационно-наведенное поглощение, люминесценция.
28-31
Влияние гамма-облучения на прямое падение напряжения и обратные токи выпрямительного диода средней мощности

A.В. Kaримов1,2, Д.М. Ёдгорова1,2, А.З. Рахматов1, А.А. Хакимов2, А.А. Каримов1, Ш.М. Кулиев1,2

1Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз
г. Ташкент, Узбекистан
e-mail: karimov@uzsci.net
2НИИ Физики полупроводников и микроэлектроники при НУУз
г. Ташкент, Узбекистан

Приведены результаты исследования статической вольт-амперной характеристики кремниевой диодной р+-n-n+n++-структуры, подвергнутой гамма-облучению. Установлено, что под воздействием гамма-облучения дозой Фγ = 5∙1016 см-2 падения прямого напряжения уменьшаются до 10 % за счет образования радиационных центров в локальной области порядка 1 мкм у границы p-n-перехода, которые, в свою очередь, приводят к изменению градиента концентрации основных носителей заряда в базовой области кремния n-типа проводимости, а незначительное уменьшение напряжения пробоя связано с шунтированием выпрямляющего р-n-перехода переходом металл-изолятор-металл, при этом, появление перед пробоем дополнительного участка с показателем степени равным восьми можно связать с пробойными явлениями через радиационно-обработанный изолятор, в данном случае возможен микроплазменный пробой в изоляторе.

Ключевые слова: кремниевая диодная р+-n-n+n++-структура, гамма-облучение, прямое падение напряжения, переход металл-изолятор-металл, напряжение пробоя.
32-39
Методика оценки эффективных значений максимальной мощности дозы и длительности импульса гамма-излучения импульсных гамма-нейтронных установок

В.С. Фигуров1,2, В.В. Байков1,2

1АО «ЭНПО СПЭЛС»
г. Москва, Россия
e-mail: vsfig@spels.ru
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия

Предложен метод оперативной оценки эффективных значений максимальной мощности дозы и длительности импульса сопутствующего гамма-излучения импульсных гамма-нейтронных установок. Эффективность гамма-излучения оценивается по отношению к излучению опорных (эталонных) установок. Метод позволяет оперативно определять эффективное значение максимальной мощности дозы в заданной точке поля излучения непосредственно после импульса установки и оценивать эффективную длительность гамма-излучения без использования специального датчика с интегрированием его выходного сигнала в процессе изменения этого сигнала в диапазоне нескольких порядков.

Ключевые слова: импульсные гамма-нейтронные установки, эффективное значение максимальной мощности дозы сопутствующего гамма-излучения, эффективная длительность импульса сопутствующего гамма-излучения, интегральная длительность радиационно-передаточной характеристики.
40-48
Экспериментальная оценка отжига структурных повреждений в кремниевых изделиях электронной техники после облучения гамма-нейтронным излучением установки БАРС-4

В.С. Фигуров1,2, В.В. Байков1,2, В.В. Шелковников2, В.М. Минин2

1Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
e-mail: vsfig@spels.ru
2АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия

Получена предварительная оценка отжига структурных повреждений в изделиях на основе кремния после воздействия гамма-нейтронного импульса излучения установки БАРС-4 и выдержки облученных изделий в пассивном режиме. Оценка проводилась путем измерений статического коэффициента передачи тока базы биполярных транзисторов типа 2Т312Б в течение ~ трех месяцев после их облучения с флюенсом нейтронов Ф0,1 = 4,3·1013 см-2 и дозой сопутствующего гамма-излучения D =·9,1·103 Р.

Ключевые слова: отжиг структурных повреждений в кремнии, облучение изделий на основе кремния импульсом нейтронов, отжиг при пассивном режиме облученных изделий.
49-56
Расчет параметров ядерной одноэлементной термоэмиссионной энергетической установки космического аппарата на этапе начального проектирования

В.Д. Атамасов1,3, И.В. Колбасин1, И.И. Дементьев1, А.Н. Устинов2, А.М. Калинина3

1АО «Конструкторское бюро «Арсенал» им. М.В. Фрунзе»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: kolbasin777ivan@mail.ru
2ОАО «Машиностроительный завод «Арсенал»
г. Санкт-Петербург, Россия
3БГТУ «ВОЕНМЕХ» им. Д.Ф. Устинова»
г. Санкт-Петербург, Россия

Приведена методика и математический аппарат приближенного оценивания расчетных характеристик ЯЭУ с одноэлементными электрогенерирующими каналами для выполнения проектных работ на начальном этапе проектирования.

Ключевые слова: ядерная энергетическая установка, расчёт параметров, космический аппарат.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 276-53-01
  • +7 (495) 552-39-40
  • risi@niipribor.ru