МЕНЮ

Стр.
Выпуск 4, 2019
5-10
Маршрут разработки сбоеустойчивых СБИС с помощью программной инжекции сбоев с учетом топологии

И.А. Данилов, А.И. Шнайдер (Хазанова), А.О. Балбеков, М.С. Горбунов, А.А. Антонов

ФГУ «ФНЦ Научно-исследовательский институт системных исследований РАН»
г. Москва, Россия
e-mail: danilov@niisi.msk.ru

Представлена методика внесения сбоев с учетом топологии, предназначенная для внедрения в процесс разработки сбоеустойчивых интегральных схем. Методика полностью совместима со стандартным маршрутом верификации, в работе описано применение методики при разработке троированного ядра шифрования по стандарту AES.

Ключевые слова: внесение сбоев, SystemVerilog, одиночные эффекты, одиночные сбои, кратковременные импульсные сигналы, сбоеустойчивость.
11-16
Сравнительный анализ внесения сбоев с учетом топологии в контроллеры прямого доступа к памяти с различными вариантами троирования

П.О. Черняков, А.П. Скоробогатов, А.А. Звягин, Е.К. Эмин, А.А. Антонов, И.А. Данилов, А.О. Балбеков, А.И. Шнайдер (Хазанова), М.С. Горбунов

ФГУ «ФНЦ Научно-исследовательский институт системных исследований РАН»
г. Москва, Россия
e-mail: chernyakov@cs.niisi.ras.ru

Предложен метод для оценки сбоеустойчивости топологической реализации контроллеров прямого доступа к памяти с локальным, распределенным и блочным тройным модульным резервированием. Представлен сравнительный анализ результатов моделирования.

Ключевые слова: SEU, SET, TMR, прямой доступ к памяти, сбои.
17-21
Моделирование зависимости чувствительности МОП-дозиметров на основе ИС 564ЛН2 к мощности дозы гамма-облучения

О.В. Мещуров, Р.Г. Усеинов

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: Niip66@bk.ru

Проведено моделирование экспериментальных дозовых зависимостей информативного параметра МОП-детектора в условиях воздействия гамма-излучения установок с изотопными источниками 60Со при мощности дозы в диапазоне 0,00011 – 39,6 рад/с. При мощностях дозы 0,0082 и 0,1 рад/с измерены вольт-амперные характеристики МОП-детектора и определен вклад поверхностных состояний в дозовую зависимость сдвига порогового напряжения. Показано, что предлагаемая модель встраивания поверхностных состояний позволяет прогнозировать зависимость информативного параметра дозиметра от дозы для разных мощностей дозы.

Ключевые слова: МОП-детектор, чувствительность МОП-детектора, низкоинтенсивное гамма-излучение, мощность дозы гамма-излучения, поглощенная доза ионизирующего излучения, встраивание поверхностных состояний.
22-29
Статистика отказов по тиристорному эффекту в интегральных схемах от тяжелых ряженных частиц и новый подход к оценке вероятности безотказной работы в условиях космического пространства

Р.Г. Усеинов, А.В. Бесецкий

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: rgrustem@niipribor.ru

Представлена методика статистической обработки экспериментальных данных по защелке интегральных схем от тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ), получаемых на ускорителях ТЗЧ. Предложены функции распределения вероятности времени до одной защелки и соответствующие их модификации для флюенса до одной защелки. Предложены новые подходы к оценке вероятности безотказной работы в условиях космического пространства, основанные на статистике экстремальных событий.

Ключевые слова: защелка от одной частицы (SEL), линейная передача энергии, вероятность безотказной работы, статистика экстремальных событий.
30-34
Радиационное воздействие на параметры микросхем двойных драйверов и программируемой памяти

Ю.В. Богатырев1, С.Б. Ластовский1, Д.А. Огородников1, В.А. Солодуха2, А.В. Кетько2, С.В. Шведов2, П.И. Парневич2, А.Н. Лимонтов2, П.Г. Машканцев2, В.А. Козловский2, Е.Г. Лозицкий2

1ГО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению»
г. Минск, Беларусь
e-mail: bogat@ifttp.bas-net.by
2ОАО «Интеграл»
г. Минск, Беларусь

Представлены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на параметры двух типов микросхем двойных драйверов для управления MOП-транзисторами, а также микросхемы однократно электрически программируемого постоянного запоминающего устройства.

Ключевые слова: гамма-излучение, микросхема, двойной драйвер, постоянное запоминающее устройство, радиационная стойкость.
35-37
Регистрация субнаносекундных импульсов электронного излучения черенковскими детекторами СЧДИ3

С.Л. Эльяш, Т.В. Лойко, А.Л. Юрьев

ФГУП «Российский федеральный ядерный центр –
Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики»
г. Саров, Нижегородская обл., Россия
e-mail: elyash@expd.vniief.ru

Зарегистрированы отклики двух черенковских детекторов СЧДИ3 на субнаносекундный импульс тока электронного пучка. Длительность импульса тока электронов, измеренная с помощью монитора с коаксиальным коллектором, составила t0,5 э ~ (0,265…0,280) нс. Длительности сигналов, зарегистрированных черенковскими детекторами № 1 и № 2, составили t0,5 ч1 ~ (0,375…0,390) нс и t0,5 ч2 ~ (0,385…0,400) нс соответственно.

Ключевые слова: черенковский детектор, электронный пучок, субнаносекундная длительность, временное разрешение.
38-41
Оптимизация массовых характеристик дополнительной радиационной защиты аппаратуры космического аппарата, критической по радиационной стойкости

В.В. Гончаров1, А.Н. Загорков2, О.В. Михеев2, А.Е. Ошкин2

1Научно-исследовательский институт космических систем им. А.А. Максимова –
 филиал АО «ГКНПЦ им. М.В. Хруничева»
г. Королёв, Московская область, Россия
e-mail: niiks@khrunichev.com
2АО «Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева»
г. Москва, Россия

Приведены результаты исследований по оптимизации массовых характеристик дополнительной радиационной защиты приборов, имеющих критические элементы по радиационной стойкости. Показано, что за счет выбора неравномерной по толщине радиационной защиты прибора масса дополнительной защиты может быть уменьшена в 1,5-2 раза по сравнению с равномерным увеличением толщины кожуха прибора по всей его поверхности. Приведены примеры конструктивного облика дополнительной защиты для различного числа критических элементов прибора.

Ключевые слова: накопленная доза, критический элемент, радиационная защита.
42-46
Определение оптимального времени облучения монокристаллов кремния при нейтронно-трансмутационном легировании фосфором

Р.И. Гучетль

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: rst471@yandex.ru

Представлены соотношения для возможного варианта расчета времени облучения и отбора кремния электронного, дырочного и смешанного типов проводимости с учетом неоднородности плотности потока нейтронов и распределения фосфора в исходном материале с целью получения минимальных отклонений от номинала заданного удельного сопротивления. В качестве критерия определения оптимального времени облучения использовано равенство экстремальных отклонений от номинала.

Ключевые слова: кремний, тепловые нейтроны, удельное сопротивление.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 276-53-01
  • +7 (495) 552-39-40
  • risi@niipribor.ru