МЕНЮ

Стр.
Выпуск 2, 2020
5-9
Исследование радиационных эффектов в МОП-транзисторах

А.В. Кузьминова, Н.А. Куликов, В.Д. Попов

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
e-mail: AVKuzminova@mephi.ru

Проведено исследование радиационных эффектов в тестовых МОП-транзисторах, изготовленных по технологии 90 нм, при облучении гамма-лучами при мощности дозы Р = 0,1 рад/с в пассивном режиме. Для исследования использовался метод анализа изменения поверхностной подвижности в каналах МОП-транзисторов с n- и р-каналами. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования как в случае МОП-транзисторов с n-каналом, так и в р-канальных транзисторах.

Ключевые слова: МОП-транзистор, n-канал, р-канал, гамма-облучение, поверхностное дефектообразование.
10-16
Исследование характеристик и разработка моделей цифровых микросхем серии IN74AC04 с учетом низкоинтенсивного облучения

И.А. Харитонов1, Н.А. Куликов2, Д.Е. Звягинцев1

1Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ
г. Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
г. Москва, Россия
e-mail: nikita93-07@bk.ru

Приведено исследование характеристик и разработка SPICE моделей микросхем IN74AC04, содержащих в одном корпусе по четыре инвертора, для условий низкоинтенсивного гамма-излучения.

Ключевые слова: логические КМОП интегральные схемы, низкоинтенсивное излучение, измерение характеристик, кольцевые генераторы, SPICE модели, динамические характеристики, оценка стойкости.
17-23
Исследование пироэлектрического эффекта в керамике на основе титаната бария при импульсном воздействии тормозного и лазерного излучений

В.П. Шукайло, О.В. Ткачёв, С.М. Дубровских, Т.В. Купырина, К.Д. Кокшарова, А.С. Тищенко, С.Ф. Ковалёва

ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия
e-mail: dep5@vniitf.ru

Представлены результаты экспериментов по импульсному воздействию излучений на конденсаторы, изготовленные из керамики на основе титаната бария. Рассмотрены отклики образцов на импульсное воздействие фотонного излучения со средними энергиями 1 МэВ; 0,1 МэВ; 2 эВ. Показано различие в отклике образца на воздействие импульсного фотонного излучения разных спектров.

Ключевые слова: титанат бария, сегнетоэлектрики, пироэлектрики, конденсаторы, импульсное ионизирующее излучение, тормозное излучение.
24-27
Эффективность коррекции одиночных ошибок, возникающих в ОЗУ при воздействии нейтронов

А.С. Кустов1, А.С. Пилипенко1, Н.В. Сильянов2

1ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия
e-mail: dep5@vniitf.ru
2Филиал ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» «НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»
г. Нижний Новгород, Россия

Для статического оперативного запоминающего устройства (ОЗУ), защищенного кодом Хэмминга, получена экспериментальная зависимость числа одиночных сбоев (ОС) от флюенса нейтронов с энергией 14 МэВ (для случая отсутствия коррекции ОС в памяти после считывания). Для анализа экспериментальных данных разработана программная модель такого ОЗУ. По результатам моделирования определено сечение ОС в ОЗУ, и оценена эффективность схемы коррекции однократных ошибок. Использование модели позволяет оценивать радиационную чувствительность ОЗУ с встроенными схемами коррекции.

Ключевые слова: одиночные сбои, ОЗУ, коды Хэмминга, нейтроны с энергией 14 МэВ.
28-32
Результаты калибровки детекторов поглощенной дозы ионизирующего излучения

О.В. Мещуров1, Р.Г. Усеинов1, А.Д. Артёмов2

1АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: Niip66@bk.ru
2АО «Корпорация «Комета»
Москва, Россия

Сформирована партия детекторов для использования в аппаратуре бортовой системы дозиметрического контроля космического аппарата. Проведена калибровка партии детекторов по критическому к ионизирующему излучению параметру в условиях воздействия гамма-излучения установок с изотопными источниками 60Со при мощностях дозы 2,5 и 0,01 рад/с.

Ключевые слова: калибровка, детектор, чувствительность детектора, мощность дозы гамма-излучения, поглощенная доза ионизирующего излучения, встраивание поверхностных состояний.
33-37
Влияние ионизирующего излучения на параметры микросхемы аналогового датчика температуры

Ю.В. Богатырев1, С.Б. Ластовский1, Д.А. Огородников1, А.В. Кетько2, А.Н. Лимонтов2, С.А. Пиловец2

1ГО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению»
г. Минск, Беларусь
e-mail: bogat@ifttp.bas-net.by
2ОАО «Интеграл»
г. Минск, Беларусь

Представлены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на параметры микросхемы аналогового температурного датчика, выполненного по биполярной технологии.

Ключевые слова: ионизирующее излучение, гамма-излучение, микросхема, аналоговый температурный датчик, радиационная стойкость.
38-42
Теоретическое описание радиационных процессов, протекающих в объёме собственной внешней атмосферы космического аппарата с ядерной энергетической установкой

И.В. Колбасин

АО «Конструкторское бюро «Арсенал» им. М.В. Фрунзе»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: kolbasin777ivan@mail.ru

Рассмотрены радиационные процессы, которые возникают в собственной внешней атмосфере при эксплуатации космического аппарата с ядерной энергетической установкой. Приведён механизм воздействия наведённой радиации на бортовую аппаратуру и конструкционные элементы космического аппарата. Разработана математическая модель, позволяющая дать оценку воздействия на аппарат.

Ключевые слова: космический аппарат, ядерная энергетическая установка, математическая модель.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 276-53-01
  • +7 (495) 552-39-40
  • risi@niipribor.ru