АО НИИП

Стр.	Выпуск 2, 2020
5-9	Исследование радиационных эффектов в МОП-транзисторах *А.В. Кузьминова, Н.А. Куликов, В.Д. Попов* Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» г. Москва, Россия e-mail: AVKuzminova@mephi.ru Проведено исследование радиационных эффектов в тестовых МОП-транзисторах, изготовленных по технологии 90 нм, при облучении гамма-лучами при мощности дозы Р = 0,1 рад/с в пассивном режиме. Для исследования использовался метод анализа изменения поверхностной подвижности в каналах МОП-транзисторов с n- и р-каналами. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования как в случае МОП-транзисторов с n-каналом, так и в р-канальных транзисторах. Ключевые слова: МОП-транзистор, n-канал, р-канал, гамма-облучение, поверхностное дефектообразование.
10-16	Исследование характеристик и разработка моделей цифровых микросхем серии IN74AC04 с учетом низкоинтенсивного облучения *И.А. Харитонов¹, Н.А. Куликов², Д.Е. Звягинцев¹* ¹Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ г. Москва, Россия ²Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» г. Москва, Россия e-mail: nikita93-07@bk.ru Приведено исследование характеристик и разработка SPICE моделей микросхем IN74AC04, содержащих в одном корпусе по четыре инвертора, для условий низкоинтенсивного гамма-излучения. Ключевые слова: логические КМОП интегральные схемы, низкоинтенсивное излучение, измерение характеристик, кольцевые генераторы, SPICE модели, динамические характеристики, оценка стойкости.
17-23	Исследование пироэлектрического эффекта в керамике на основе титаната бария при импульсном воздействии тормозного и лазерного излучений *В.П. Шукайло, О.В. Ткачёв, С.М. Дубровских, Т.В. Купырина, К.Д. Кокшарова, А.С. Тищенко, С.Ф. Ковалёва* ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина» г. Снежинск, Челябинская область, Россия e-mail: dep5@vniitf.ru Представлены результаты экспериментов по импульсному воздействию излучений на конденсаторы, изготовленные из керамики на основе титаната бария. Рассмотрены отклики образцов на импульсное воздействие фотонного излучения со средними энергиями 1 МэВ; 0,1 МэВ; 2 эВ. Показано различие в отклике образца на воздействие импульсного фотонного излучения разных спектров. Ключевые слова: титанат бария, сегнетоэлектрики, пироэлектрики, конденсаторы, импульсное ионизирующее излучение, тормозное излучение.
24-27	Эффективность коррекции одиночных ошибок, возникающих в ОЗУ при воздействии нейтронов *А.С. Кустов¹, А.С. Пилипенко¹, Н.В. Сильянов²* ¹ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина» г. Снежинск, Челябинская область, Россия e-mail: dep5@vniitf.ru ²Филиал ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» «НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» г. Нижний Новгород, Россия Для статического оперативного запоминающего устройства (ОЗУ), защищенного кодом Хэмминга, получена экспериментальная зависимость числа одиночных сбоев (ОС) от флюенса нейтронов с энергией 14 МэВ (для случая отсутствия коррекции ОС в памяти после считывания). Для анализа экспериментальных данных разработана программная модель такого ОЗУ. По результатам моделирования определено сечение ОС в ОЗУ, и оценена эффективность схемы коррекции однократных ошибок. Использование модели позволяет оценивать радиационную чувствительность ОЗУ с встроенными схемами коррекции. Ключевые слова: одиночные сбои, ОЗУ, коды Хэмминга, нейтроны с энергией 14 МэВ.
28-32	Результаты калибровки детекторов поглощенной дозы ионизирующего излучения *О.В. Мещуров¹, Р.Г. Усеинов¹, А.Д. Артёмов²* ¹АО «Научно-исследовательский институт приборов» г. Лыткарино, Московская обл., Россия e-mail: Niip66@bk.ru ²АО «Корпорация «Комета» Москва, Россия Сформирована партия детекторов для использования в аппаратуре бортовой системы дозиметрического контроля космического аппарата. Проведена калибровка партии детекторов по критическому к ионизирующему излучению параметру в условиях воздействия гамма-излучения установок с изотопными источниками ⁶⁰Со при мощностях дозы 2,5 и 0,01 рад/с. Ключевые слова: калибровка, детектор, чувствительность детектора, мощность дозы гамма-излучения, поглощенная доза ионизирующего излучения, встраивание поверхностных состояний.
33-37	Влияние ионизирующего излучения на параметры микросхемы аналогового датчика температуры *Ю.В. Богатырев¹, С.Б. Ластовский¹, Д.А. Огородников¹, А.В. Кетько², А.Н. Лимонтов², С.А. Пиловец²* ¹ГО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению» г. Минск, Беларусь e-mail: bogat@ifttp.bas-net.by ²ОАО «Интеграл» г. Минск, Беларусь Представлены результаты исследований влияния гамма-излучения Со⁶⁰ на параметры микросхемы аналогового температурного датчика, выполненного по биполярной технологии. Ключевые слова: ионизирующее излучение, гамма-излучение, микросхема, аналоговый температурный датчик, радиационная стойкость.
38-42	Теоретическое описание радиационных процессов, протекающих в объёме собственной внешней атмосферы космического аппарата с ядерной энергетической установкой *И.В. Колбасин* АО «Конструкторское бюро «Арсенал» им. М.В. Фрунзе» г. Санкт-Петербург, Россия e-mail: kolbasin777ivan@mail.ru Рассмотрены радиационные процессы, которые возникают в собственной внешней атмосфере при эксплуатации космического аппарата с ядерной энергетической установкой. Приведён механизм воздействия наведённой радиации на бортовую аппаратуру и конструкционные элементы космического аппарата. Разработана математическая модель, позволяющая дать оценку воздействия на аппарат. Ключевые слова: космический аппарат, ядерная энергетическая установка, математическая модель.