МЕНЮ

Стр.
Выпуск 3 2020
5-8
Актуальные вопросы экспериментальной оценки стойкости электронной компонентной базы к воздействию рентгеновского излучения

М.В. Баньковский, М.В. Назаренко, В.М. Олухов

АО «Научно-исследовательский институт приборов»
г. Лыткарино, Московская обл., Россия
e-mail: MVBankovskii@niipribor.ru

Представлены результаты расчета уточняющих коэффициентов оценки стойкости электронной компонентной базы (ЭКБ) к воздействию рентгеновского излучения с характеристиками 7.И12 - 7.И15 по результатам испытаний в физических опытах и на гамма-установках с характеристиками 7.И6, 7.И7, 7.И8.

Ключевые слова: электронная компонентная база, рентгеновское излучение, стойкость.
9-13
Исследование особенностей в распределении сбоев в СОЗУ при воздействии различных видов ионизирующего излучения

О.В. Ткачев1, А.С. Кустов1, А.С. Пилипенко1, В.С. Грядобитов1,2

1ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр –
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия
e-mail: dep5@vniitf.ru
2Снежинский физико-технический институт
Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия

Проведено определение механизмов сбоев ячеек памяти статистического оперативного запоминающего устройства (СОЗУ) при воздействии различных видов ионизирующего излучения. Образцы подвергали радиационному воздействию на электронном ускорителе (импульсное тормозное излучение), нейтронном генераторе (статическое облучение нейтронами) и ядерном реакторе (импульсное гамма- и нейтронное воздействие). Для определения механизмов сбоев при различных радиационных воздействиях применялся анализ карт сбоев СОЗУ (распределения инвертированных ячеек памяти).

Ключевые слова: одиночные сбои, СОЗУ, гамма-кванты, нейтроны, импульс ионизирующего излучения.
14-23
Внесение сбоев с учётом топологии устройства и данных SPICE-характеризации библиотеки стандартных ячеек на чувствительность к воздействию отдельных ядерных частиц

И.А. Данилов, А.О. Балбеков, А.И. Хазанова, М.С. Горбунов

ФГУ «ФНЦ Научно-исследовательский институт системных исследований РАН»
г. Москва, Россия
e-mail: danilov@niisi.msk.ru

Представлена методика многоуровневой программной инжекции сбоев в Verilog-модель интегральной схемы с учётом её топологии и данных SPICE-характеризации библиотеки стандартных ячеек, на основе которой она спроектирована. Таким образом, моделирование в рамках данной методики осуществляется сразу на нескольких уровнях абстракции. Представленная методика является развитием методики, представленной авторами ранее, за счёт добавления учёта данных SPICE-характеризации. Методика, как и ранее, полностью совместима со стандартным маршрутом разработки сбоеустойчивых интегральных схем. Демонстрация методики проведена на различных по сбоеустойчивости вариантах реализации вычислительного блока, входящего в состав ядра шифрования по стандарту AES.

Ключевые слова: внесение сбоев, инжекция, Verilog, SystemVerilog, SPICE, одиночные эффекты, одиночные сбои, кратковременные импульсные сигналы, сбоеустойчивость.
24-27
Моделирование воздействия одиночных импульсов напряжения при испытаниях на импульсную электрическую прочность микросхем в активном электрическом режиме путём испытаний в пассивном электрическом режиме

В.И. Ванин, А.А. Смекалов

АО «РНИИ «Электронстандарт»
г. Санкт-Петербург, Россия
e-mail: v-vanin@mail.ru

Предложена методика испытаний микросхем на импульсную электрическую прочность, позволяющая заменить испытания в активном электрическом режиме испытаниями в пассивном электрическом режиме. При этом амплитуда Um воздействующих одиночных импульсов напряжения в пассивном электрическом режиме может находится в диапазоне 0 ≤ Um ≤ Um.

Ключевые слова: микросхемы, импульсная электрическая прочность, одиночный импульс напряжения, активный и пассивный электрические режимы испытаний микросхем.
28-34
Исследование релаксации радиационно-наведенного поглощения в полимерном оптическом волокне

А.А. Коновалов1, О.В. Ткачев2, С.М. Дубровских2, К.Д. Кокшарова2, А.С. Кустов2

1Снежинский физико-технический институт
Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия
e-mail: dep5@vniitf.ru
2ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр –
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия

На примере полимерного волокна рассмотрены эффекты, обусловленные термическим и оптическим отжигом радиационно-наведенных центров окраски, созданных гамма-излучением.

Ключевые слова: отжиг радиационных дефектов, гамма-излучение, оптическое волокно, энергия активации, центры окраски, радиационно-наведенное поглощение.
35-38
Ионизационная камера с поперечным электрическим полем относительно трассы пучка

Д.А. Амерканов, Е.М. Иванов, Н.А. Иванов, О.В. Лобанов, В.В. Пашук

НИЦ «Курчатовский институт» - ПИЯФ
г. Гатчина, Ленинградская обл., Россия
e-mail: pashuk_vv@pnpi.nrcki.ru

Исследованы физические свойства абсолютного монитора пучка протонов, работающего в режиме реального времени. Детектор монитора представляет собой две объединенные в один модуль ионизационные камеры с воздушным наполнением с поперечным электрическим полем относительно трассы пучка. В камерах сигнальные электроды имеют разные длины вдоль пучка. Расстояния между высоковольтными и сигнальными электродами пропорциональны длинам сигнальных электродов. Возможность варьировать длину электрода позволяет оперативно изменять измеряемый диапазон потоков протонов.

Ключевые слова: ионизационный детектор, поток протонов.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 276-53-01
  • +7 (495) 552-39-40
  • risi@niipribor.ru